[發明專利]一種微流體離子源芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201610149298.1
• 申請日: 2016-03-16
• 公開（公告）號: CN105797791B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 錢翔;于賜龍;王曉浩;余泉;倪凱
• 申請（專利權）人: 清華大學深圳研究生院
• 主分類號: B01L3/00
• 分類號: B01L3/00
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 楊洪龍

1.一種微流體芯片，其特征在于，包括離散相層、第一連續相層和噴霧口，所述離散相層包括離散相儲存池和離散相流道，所述第一連續相層包括第一連續相儲存池和第一連續相流道，所述第一連續相流道始于所述第一連續相儲存池并于設定位置分成兩條第一連續相流道支路，所述離散相流道連通所述離散相儲存池和噴霧口，所述離散相流道位于兩條第一連續相流道支路之間，所述兩條第一連續相流道支路呈兩條相對地向著所述離散相流道凹陷的曲線平滑地匯合于所述噴霧口，并通過連續相流體使所述離散相流道的出口產生負壓。

2.如權利要求1所述的微流體芯片，其特征在于，還包括第二連續相層，所述離散相層在所述第一連續相層和第二連續相層之間，所述第二連續相層包括第二連續相儲存池和第二連續相流道，所述第二連續相流道始于所述第二連續相儲存池并于設定位置分成兩條第二連續相流道支路，所述兩條第二連續相流道支路匯合于所述噴霧口。

3.如權利要求2所述的微流體芯片，其特征在于，所述離散相流道的出口位于所述噴霧口的中間。

4.如權利要求1所述的微流體芯片，其特征在于，還包括凸臺層，所述第一連續相層位于所述凸臺層與離散相層之間。

5.如權利要求2所述的微流體芯片，其特征在于，所述離散相層包括多條離散相流道，所述第一連續相層包括多條第一連續相流道。

6.一種微流體芯片制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、在第一基片上形成第一光刻膠層，將離散相層掩膜板放在所述第一光刻膠層上，朝所述離散相層掩膜板曝光；其中，所述離散相層掩膜板具有與離散相層的離散相儲存池、離散相流道、離散相層標記、以及噴霧口的位于離散相層高度的部分對應的透光圖案；

S2、將所述離散相層掩膜板移除，在所述第一光刻膠層上形成第二光刻膠層，將連續相層掩膜板放在所述第二光刻膠層上，將連續相層掩膜板的連續相層標記與所述離散相層標記對齊，朝所述連續相層掩膜板曝光，將所述連續相層掩膜板移除；其中，所述連續相層掩膜板具有與連續相層的連續相儲存池、連續相流道、連續相層標記以及噴霧口的位于連續相層高度部分對應的透光圖案；

S3、將第一基片、離散相層和連續相層浸入顯影液中，使所述第一光刻膠層和第二光刻膠層上的與透光圖案對應的部分被刻蝕并留下未刻蝕部分，形成的連續相流道具有兩條連續相流道支路，并使所述離散相流道位于兩條第一連續相流道支路之間，且所述兩條連續相流道支路呈兩條相對地向著所述離散相流道凹陷的曲線平滑地匯合于所述噴霧口；

S4、向第一光刻膠層和第二光刻膠層的刻蝕部分注入高聚物并使高聚物固化，使固化的第一高聚物與未刻蝕部分分離。

7.如權利要求6所述的微流體芯片制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：

S5、在第二基片上形成第三光刻膠層，將連續相層掩膜板放在所述第三光刻膠層上，朝所述連續相層掩膜板曝光；其中，所述連續相層掩膜板具有與連續相層的連續相儲存池、連續相流道、以及噴霧口的位于連續相層高度部分對應的透光圖案；

S6、將所述連續相層掩膜板移除，將第二基片和第二連續相層浸入顯影液中，使所述第三光刻膠層上的與透光圖案對應的部分被刻蝕并留下未刻蝕部分；

S7、向第三光刻膠層的刻蝕部分注入高聚物并使高聚物固化，使固化的第二高聚物與未刻蝕部分分離；

S8、將所述第一高聚物和第二高聚物鍵合得到微流體芯片。

8.如權利要求6所述的微流體芯片制備方法，其特征在于，在步驟S2和步驟S3之間還包括如下步驟：

在所述第二光刻膠層上形成第四光刻膠層，將凸臺層掩膜板放在所述第四光刻膠層上，將所述凸臺層掩膜板的凸臺層標記與連續相層標記對齊，朝所述凸臺層掩膜板曝光，并將所述凸臺層掩膜板移除。

9.如權利要求7所述的微流體芯片制備方法，其特征在于，對所述微流體芯片進行烘烤。