[發明專利]一種單層或少層二硫化鉬納米材料的制備方法

有效

• 申請號: 201610144310.X
• 申請日: 2016-03-14
• 公開（公告）號: CN105668631B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 胡平;王快社;楊帆;胡卜亮;宋瑞;陳震宇;李秦偉;劉漫博
• 申請（專利權）人: 西安建筑科技大學
• 主分類號: C01G39/06
• 分類號: C01G39/06;B82Y30/00
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所61216
• 代理人: 李婷

1.一種單層或少層二硫化鉬納米材料的制備方法，其特征在于：該方法先將二硫化鉬粉末加入分層溶液中進行分層反應，形成混合液；

然后在混合液中加入氧化劑進行氧化插層反應，過濾干燥后得到插層二硫化鉬粉末；

最后向插層二硫化鉬粉末中加入爆炸劑進行爆炸反應，冷卻至室溫后取出爆炸反應產物，即得到單層或少層二硫化鉬納米材料。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述的分層溶液為芳香族硫醚的乙醇溶液；所述的氧化劑為高錳酸鉀；所述的爆炸劑為苦味酸。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的芳香族硫醚為聚苯硫醚或芳香族二胺單體硫醚，芳香族硫醚的乙醇溶液的質量濃度為10％～60％。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的分層反應的具體過程為：將二硫化鉬粉末研磨至200目過篩，將二硫化鉬粉末加入芳香族硫醚的乙醇溶液中，加熱至30～50℃并攪拌5～12h，形成混合液。

5.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的二硫化鉬粉末與芳香族硫醚的質量比為1:(10～40)。

6.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的氧化插層反應的具體過程為：向混合液中加入高錳酸鉀，加熱至50～90℃并攪拌8～18h，過濾，將濾餅烘干，得到插層二硫化鉬粉末。

7.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的高錳酸鉀與混合液中的二硫化鉬的質量比為(0.5～3):1。

8.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的爆炸反應的具體過程為：將插層二硫化鉬粉末與苦味酸混合均勻，裝入高壓反應釜中，將高壓反應釜抽真空并通入氬氣，加熱至350～600℃發生爆炸，隨爐冷卻至室溫后取出爆炸反應產物，即得到單層或少層二硫化鉬納米材料。

9.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于：所述的插層二硫化鉬粉末與苦味酸的質量比1：(0.5～3)。