[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610142653.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-03-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105810752B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-11-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山崎舜平 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/786 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/786 |
| 代理公司: | 31100 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人: | 李玲<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入國(guó) |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 光源裝置、照明裝置、液晶裝置和電子裝置
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