[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和形成該半導(dǎo)體裝置的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610140176.6 | 申請日： | 2016-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN105977291B | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J.P.德蘇扎;K.E.福格爾;金志煥;D.K.薩達(dá)納;B.A.瓦卡瑟 | 申請（專利權(quán)）人： | 國際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類號： | H01L29/772 | 分類號： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邱軍;趙國榮 |
| 地址： | 美國紐*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 形成 方法 | ||
【說明書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
