[發明專利]半導體裝置和形成該半導體裝置的方法有效
| 申請號： | 201610140176.6 | 申請日： | 2016-03-11 |
| 公開（公告）號： | CN105977291B | 公開（公告）日： | 2019-08-13 |
| 發明（設計）人： | J.P.德蘇扎;K.E.福格爾;金志煥;D.K.薩達納;B.A.瓦卡瑟 | 申請（專利權）人： | 國際商業機器公司 |
| 主分類號： | H01L29/772 | 分類號： | H01L29/772;H01L21/335;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 邱軍;趙國榮 |
| 地址： | 美國紐*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
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