[發(fā)明專利]一種晶片測(cè)試裝置及其測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610133729.5
• 申請(qǐng)日: 2016-03-10
• 公開（公告）號(hào): CN105785254A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡偉智;李國(guó)煌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測(cè)試，具體涉及一種用于發(fā)光二極管晶片光電參數(shù)測(cè)試的裝置及方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體晶片的發(fā)展，例如發(fā)光二極管晶片廣泛應(yīng)用于顯示屏、指示燈、數(shù)碼產(chǎn)品、背光源等不同領(lǐng)域，客觀上對(duì)發(fā)光二極管晶片的需求呈現(xiàn)幾何級(jí)數(shù)增加，這樣對(duì)晶片的生產(chǎn)效率提出了更高的要求。目前晶片在做測(cè)試時(shí)需測(cè)量電性及光學(xué)參數(shù)，傳統(tǒng)的全測(cè)試方式對(duì)晶片中每顆芯粒進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)（通常為WLD、LOP、VF、IR等）。測(cè)量電性參數(shù)時(shí)反應(yīng)速度快，但測(cè)量光學(xué)參數(shù)需根據(jù)發(fā)光二極管芯粒的特性來設(shè)定芯粒穩(wěn)定時(shí)間、光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)的感光時(shí)間及用運(yùn)算校正的系統(tǒng)函數(shù)演算法來取得測(cè)量數(shù)值，其測(cè)量光學(xué)參數(shù)的時(shí)間約占總測(cè)量時(shí)間的1/3~1/2時(shí)間，其造成了晶片測(cè)試機(jī)臺(tái)的測(cè)試效率低下，進(jìn)而嚴(yán)重影響了發(fā)光二極管的產(chǎn)能。

前案CN102569565公開了一種方案，利用晶片的光學(xué)參數(shù)分布特性：邊沿區(qū)域離散、中間區(qū)域集中性良好，將晶片頂部區(qū)域、中間區(qū)域、底部區(qū)域，在中間區(qū)域采取在每行的起始端先進(jìn)行光電參數(shù)全測(cè)，到達(dá)第一個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T1時(shí)，切換為電性參數(shù)單測(cè)，到達(dá)第二個(gè)單-全測(cè)切換點(diǎn)T2時(shí)，切換為光電參數(shù)全測(cè)。而頂部跟底部由于處于邊沿區(qū)域，電性離散，采用光電參數(shù)全測(cè)。采取該方案初步提高了測(cè)試效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種晶片測(cè)試裝置集成多組探針，解決現(xiàn)有測(cè)試裝置過程繁瑣、產(chǎn)能受限的問題，從而大幅提高發(fā)光二極管晶片的測(cè)試效率。

為解決以上技術(shù)之難題，本發(fā)明提供一種晶片測(cè)試裝置，主要由探針模塊、探針臺(tái)、收光組件及控制線路組成，探針臺(tái)在探針模塊下方自由移動(dòng)，收光組件位于探針模塊上方，其中探針模塊用于測(cè)試發(fā)光二極管晶片內(nèi)芯粒的電性參數(shù)，探針臺(tái)用于固定晶片，收光組件用于測(cè)試芯粒的光學(xué)參數(shù)，控制線路用于在各部件間傳遞控制信號(hào)及數(shù)據(jù)信息。所述晶片測(cè)試裝置至少包括9組探針模塊，晶片測(cè)試時(shí)，每組探針模塊至少測(cè)量1顆芯粒，所述探針模塊對(duì)應(yīng)的芯粒構(gòu)成矩陣圖形，定義一個(gè)矩陣圖形內(nèi)的芯粒為一個(gè)單元，所述探針模塊在程控選通分配器控制下，依次對(duì)矩陣圖形內(nèi)芯粒進(jìn)行電性參數(shù)進(jìn)行采集。

優(yōu)選的，所述每組探針模塊對(duì)應(yīng)1顆芯粒。

優(yōu)選的，所述矩陣圖形包含但不限于3*3陣列、3*5陣列或者5*5陣列。

優(yōu)選的，所述收光組件僅對(duì)位于所述矩陣圖形中心的芯粒進(jìn)行光學(xué)參數(shù)采集，用所述光學(xué)參數(shù)代表所述矩陣圖形內(nèi)其他位置芯粒的光學(xué)參數(shù)。

優(yōu)選的，所述收光組件為積分球。

優(yōu)選的，所述矩陣圖形中央芯粒具有電極，探針模塊與電極歐姆接觸，探針模塊位于其在芯粒表面非電極區(qū)域投影面積最小的位置。

優(yōu)選的，矩陣圖形周邊芯粒對(duì)應(yīng)的探針模塊，不經(jīng)過所述矩陣圖形中央芯粒的上方。

優(yōu)選的，所述程控選通分配器控制探針依次對(duì)矩陣圖形內(nèi)芯粒進(jìn)行電性參數(shù)進(jìn)行采集后，通過控制線路輸出電性參數(shù)，并控制所述探針臺(tái)移動(dòng)，所述探針對(duì)下一單元待測(cè)芯粒進(jìn)行電性參數(shù)采集。

另一方面，本發(fā)明還提供了一種晶片測(cè)試方法，通過晶片測(cè)試裝置的探針模塊和積分球，分別對(duì)發(fā)光二極管晶片的電性參數(shù)和光學(xué)參數(shù)進(jìn)行采集，其中發(fā)光二極管晶片固定于探針臺(tái)上，探針模塊位于晶片上方，積分球位于探針模塊上方。所述晶片測(cè)試裝置至少包括9組探針模塊，晶片測(cè)試時(shí)，每組探針模塊至少測(cè)量1顆芯粒，所述探針模塊對(duì)應(yīng)的芯粒構(gòu)成矩陣圖形，定義一個(gè)矩陣圖形內(nèi)的芯粒為一個(gè)單元，所述積分球采集位于所述矩陣圖形中心位置芯粒的光學(xué)參數(shù)，用所述光學(xué)參數(shù)代表所述矩陣圖形內(nèi)其他位置芯粒的光學(xué)參數(shù)。

優(yōu)選的，依次對(duì)所述矩陣圖形內(nèi)芯粒進(jìn)行電性參數(shù)采集。

優(yōu)選的，所述探針模塊在采集完矩陣圖形內(nèi)所有芯粒的電性參數(shù)，且積分球采集完位于所述矩陣圖形中心位置芯粒的光學(xué)參數(shù)，通過探針臺(tái)移動(dòng)，所述探針模塊對(duì)下一單元待測(cè)芯粒進(jìn)行電性參數(shù)采集。

優(yōu)選的，所述矩陣圖形包含但不限于3*3陣列、5*3陣列或者5*5陣列。

本發(fā)明的有益效果至少包括：通過集成多個(gè)探針模塊，加入程控選通分配器，控制不同探針模塊，相比直接集成九塊電性測(cè)試模塊在節(jié)省硬件成本和裝置空間的同時(shí)，巧妙的利用了外延特性對(duì)光參數(shù)的影響，同時(shí)完成多顆芯粒的測(cè)試數(shù)據(jù)采集，大幅縮減測(cè)試時(shí)間，同時(shí)保證測(cè)試的精確度。

附圖說明

圖1和圖2為傳統(tǒng)的LED芯粒測(cè)試示意圖。

圖3和圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的晶片測(cè)試示意圖。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例2的晶片測(cè)試示意圖。