[發明專利]一種基座和反應腔室

有效

• 申請號: 201610131278.1
• 申請日: 2016-03-09
• 公開（公告）號: CN107180782B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 蔣磊
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

本發明公開了一種基座和反應腔室，該基座包括貫穿其的通孔，及設置在所述通孔內的頂針，所述頂針和所述基座可以在豎直方向上相對移動，以使所述頂針的頂端伸出所述通孔，或位于所述通孔內，所述通孔內設置有第一絕緣件，用于使所述頂針與所述基座絕緣。本發明中的基座的第一絕緣件設置于基座的通孔內，第一絕緣件用于使所述頂針與所述基座絕緣，從而避免了頂針與基座之間的打火現象。

技術領域

本發明屬于半導體制造領域，具體涉及一種基座和反應腔室。

背景技術

等離子體設備廣泛用于當今的半導體、太陽能電池、平板顯示等制作工藝中。在目前的制造工藝中，已經使用等離子體設備類型有：直流放電、電容耦合等離子體(CCP)、電感耦合等離子體(ICP)以及電子回旋共振等離子體(ECR)等類型。目前這些類型的放電被廣泛應用于物理氣相沉積(PVD)，等離子體刻蝕以及等離子體化學氣相沉積(CVD)等。

在PVD工藝設備中，特別是對于IC(集成電路)、TSV(硅穿孔)、Packaging(封裝)制造工藝，需要一種預清洗(Preclean)腔室，將工藝氣體，如氬氣、氦氣、H₂等，激發為等離子體，利用等離子體的化學反應和物理轟擊作用，對晶圓或工件進行去雜質的處理，已利于后續的物理氣相沉積(PVD)的有效進行。如圖1所示，電容耦合等離子體發生裝置原理圖，上電極1為接地電極，下電極2與高頻發生器3連接，下電極2為高頻電極，工藝氣體在上電極1和下電極2之間的電場中被激發為等離子體。

如圖2所示，現有技術中的用于加工晶片的反應腔室4內具有用于支承被加工的晶片的基座5，其下部設有升降部6，用于使基座5在工藝位和傳輸位之間升降，頂針7用于支承晶片，以從機械手上接收或向機械手上傳遞晶片。加工晶片時，基座5首先位于傳輸位，使頂針7的端部高于基座5的上表面，從機械手上接收晶片，機械手將晶片送入反應腔室4內，并將其放置在頂針7上后退出反應腔室4；升降部6驅動基座5上升至工藝位，上升過程中，晶片從頂針7上轉移至基座5的上表面，同時頂針7的端部收在基座的通孔8內。加工完成后，升降部6驅動基座5下降至傳輸位，下降過程中，頂針7的端部從基座的通孔8內伸出，將晶片從基座5的上表面轉移至頂針7上，機械手重新伸入反應腔室4內把晶片取走。升降部6、頂針7均連接到反應腔室4，所以升降部6、頂針7均與反應腔室4等電位，處于接地狀態；基座5與高頻發生器連接，基座5為高電位。工藝時，頂針7的端部在基座的通孔8內，頂針7與基座5兩者電位不同，在做高功率工藝時，頂針7與基座5之間經常發生打火現象。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種基座和反應腔室，該基座的第一絕緣件避免了頂針與基座之間的打火現象。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是提供一種基座，包括貫穿其的通孔，及設置在所述通孔內的頂針，所述頂針和所述基座可以在豎直方向上相對移動，以使所述頂針的頂端伸出所述通孔，或位于所述通孔內，所述通孔內設置有第一絕緣件，用于使所述頂針與所述基座絕緣。

優選的是，當所述頂針的頂端位于所述通孔內時，所述頂針的頂端位于所述第一絕緣件內。

優選的是，所述頂針的頂端距離所述第一絕緣件的頂端的距離為5～20mm。

優選的是，所述第一絕緣件的頂端與所述基座的上表面齊平。

優選的是，所述基座由上至下包括頂板、冷卻盤、第二絕緣件和底座，所述第一絕緣件至少覆蓋所述頂板和冷卻盤的通孔的全部內壁，以及所述第二絕緣件的通孔的部分內壁。

優選的是，所述第一絕緣件包括兩端開口的筒本體和設置于所述筒本體外壁的凸耳，所述凸耳位于所述冷卻盤和所述第二絕緣件之間。

優選的是，所述第二絕緣件的上表面和/或所述冷卻盤的下表面在其通孔的外緣處設有與所述凸耳形狀匹配的臺階，所述凸耳位于所述臺階之內。