[發明專利]大曲率透鏡表面用的紅外紫外截止濾光膜結構及制作方法有效
| 申請號: | 201610122026.2 | 申請日: | 2016-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN105589123B | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 馮君剛;謝志高;李毅幀;聶小飛;葉忠海 | 申請(專利權)人: | 舜宇光學(中山)有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/28 | 分類號: | G02B5/28 |
| 代理公司: | 中山市興華粵專利代理有限公司 44345 | 代理人: | 吳劍鋒;鄒濤 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曲率 透鏡 表面 紅外 紫外 截止 濾光 膜結構 制作方法 | ||
1.一種大曲率透鏡表面用的紅外紫外截止濾光膜結構的制作方法,其中大曲率透鏡表面用的紅外紫外截止濾光膜結構包括大曲率透鏡,所述大曲率透鏡上設置有紅外紫外截止濾光膜,該紅外紫外截止濾光膜包括依次交替堆疊在大曲率透鏡上的低折射率膜層和高折射率膜層;所述紅外紫外截止濾光膜為45層的多膜層結構;
其特征是制作方法包括以下步驟:
步驟一,鍍膜前,以大曲率透鏡為基片,將基片加溫,加熱溫度為150±20℃;
步驟二,將經過步驟一加熱處理后的基片進行離子轟擊處理:在真空壓力為(8.0±2)×10-4Pa下,啟動RF離子源,所述RF離子源的參數為:beam voltage:800V,beam current:800mA,離子轟擊時間為60s;
步驟三,在基片上鍍第一層膜,該第一層膜為低折射率膜層,鍍膜時使用的材料為SiO2,鍍膜的膜層厚度為81.6±1nm,鍍膜時的真空壓力為(8.0±2)×10-4Pa,蒸發速率為8.0±2? /s;
步驟四,在第一層膜上鍍第二層膜,該第二層膜為高折射率膜層,鍍膜時使用的材料為Ti3O5 或Ta2O5,鍍膜的膜層厚度為7.6±1nm,鍍膜時的真空壓力為(1.6±0.3)×10-2Pa,蒸發速率為4.0±1.5 ? /s;
步驟五,接下來,在第二層膜上依次交替蒸發并形成第三層膜和第四層膜,也就是在第二層膜上依次交替蒸發并形成低折射率膜層和高折射率膜層,膜層厚度如膜層厚度表所示,鍍膜時的真空壓力和蒸發速率分別與步驟三和步驟四相同;
步驟六,按照步驟五依次鍍完45層膜;
所述紅外紫外截止濾光膜中的各膜層厚度見膜層厚度表:
膜層數 材料 膜厚(nm) 膜層數 材料 膜厚(nm) 1 低折射率膜層 81.6±1 24 高折射率膜層 94.3±1 2 高折射率膜層 7.6±1 25 低折射率膜層 174.8±1 3 低折射率膜層 44.3±1 26 高折射率膜層 104.4±1 4 高折射率膜層 94.3±1 27 低折射率膜層 147.7±1 5 低折射率膜層 132.8±1 28 高折射率膜層 86.8±1 6 高折射率膜層 79.6±1 29 低折射率膜層 157.7±1 7 低折射率膜層 122.4±1 30 高折射率膜層 100.9±1 8 高折射率膜層 79±1 31 低折射率膜層 152.5±1 9 低折射率膜層 116.6±1 32 高折射率膜層 88±1 10 高折射率膜層 80.4±1 33 低折射率膜層 143.5±1 11 低折射率膜層 112.2±1 34 高折射率膜層 93±1 12 高折射率膜層 82±1 35 低折射率膜層 163.6±1 13 低折射率膜層 108.6±1 36 高折射率膜層 105.9±1 14 高折射率膜層 83.4±1 37 低折射率膜層 168.7±1 15 低折射率膜層 106.6±1 38 高折射率膜層 105.6±1 16 高折射率膜層 83.8±1 39 低折射率膜層 166.5±1 17 低折射率膜層 106.2±1 40 高折射率膜層 102.8±1 18 高折射率膜層 83.9±1 41 低折射率膜層 164.7±1 19 低折射率膜層 108.2±1 42 高折射率膜層 101.8±1 20 高折射率膜層 83.1±1 43 低折射率膜層 158.2±1 21 低折射率膜層 113.1±1 44 高折射率膜層 89.4±1 22 高折射率膜層 82.8±1 45 低折射率膜層 70.9±1 23 低折射率膜層 123.3±1
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