[發明專利]帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片

在審

• 申請號: 201610115896.7
• 申請日: 2016-03-01
• 公開（公告）號: CN105737879A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 趙琳;李鎖印;韓志國;許曉青;馮亞南;梁法國;趙革艷;趙新宇;鄭曉敏;孫悅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G01D18/00
• 分類號: G01D18/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 王占華

1.一種帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片，其特征在于：包括基底（1）、以及在基底（1）上設置的至少一組同一周期尺寸的光柵結構（2）和覆蓋在光柵結構（2）表面的金屬層；所述一組同一周期尺寸的光柵結構（2）包括同一周期尺寸的一維X方向柵條結構（3）、同一周期尺寸的一維Y方向柵條結構（4）和同一周期尺寸的二維柵格結構（5），所述一維X方向柵條結構（3）和一維Y方向柵條結構（4）中的若干個柵條分別沿X方向和Y方向均等排列，所述二維柵格結構（5）中的若干個柵格沿X方向和Y方向均等排列，所述柵條和柵格均為凸起的臺階高度結構。

2.根據權利要求1所述的帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片，其特征在于：所述至少一組為7組，其周期尺寸分別為100μm、50μm、20μm、10μm、5μm、2μm、1μm。

3.根據權利要求1所述的帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片，其特征在于：所述柵條和柵格的臺階高度量值為180nm。

4.根據權利要求1所述的帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片，其特征在于：所述基底（1）采用硅材料，所述光柵結構（2）采用氮化硅材料。

5.根據權利要求1所述的帶有臺階高度的微米級光柵校準樣片，其特征在于：若干個不同周期尺寸的光柵結構（2）均設有對應的計量值標記和循跡標志。