[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610111290.6 | 申請日: | 2016-02-29 |
| 公開(公告)號: | CN105742494A | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫寶全;許衛(wèi)東;劉儷佳 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L51/00 | 分類號: | H01L51/00;H01L51/48;H01L51/42;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李陽 |
| 地址: | 215100 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:
所述鈣鈦礦太陽能電池包括正向結構和反向結構,
制備鈣鈦礦太陽能電池反向結構方法如下:
a.在清洗干凈并經(jīng)臭氧處理過的ITO襯底上旋涂PEDOT:PSS,經(jīng)退火處理后,形成一層厚度均勻的PEDOT:PSS薄膜;
b.在PEDOT:PSS薄膜上旋涂鈣鈦礦前驅體溶液制備鈣鈦礦活性層,退火薄膜變黑后再旋涂PC61BM溶液;
c.待溶劑自然揮發(fā)后,再懸涂氧化鋅納米顆粒;
d.利用真空熱蒸鍍鋁電極;
制備鈣鈦礦太陽能電池正向結構方法如下:
a1.在清洗干凈并經(jīng)臭氧處理過的ITO襯底上旋涂氧化鈦前軀體溶液,經(jīng)退火處理后,形成一層厚度均勻的氧化鈦薄膜;
b2.在氧化鈦薄膜上旋涂鈣鈦礦前驅體溶液制備鈣鈦礦活性層,經(jīng)退火處理后,薄膜變成黑色,并在其上表面懸涂Spiro-OMeTAD溶液;
c3.放置于干燥柜常溫氧化24小時后,利用真空熱蒸鍍銀電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述鈣鈦礦前驅體溶液為,將結構式符合ABX3的A、B兩種鹵素鹽與鹵代烷烴M進行混合,并加入DMF溶劑,配備質量分為40%的鈣鈦礦前驅體溶液。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述ABX3結構中,A為甲胺、甲基二胺、銫、銦中的任一種,B為鉛、錫中的任一種,X為氯、溴、碘中的任一種。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述鈣鈦礦溶液結構式為MyA(1-y)B3-xXx,其中0<y<1,0≤x≤3。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟a和步驟a1中,清洗步驟為依次用丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗20min,用氮氣吹干后臭氧處理15min。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所訴步驟a中退火為置于空氣氣氛中140℃退火20min,所述步驟b中退火為氮氣氣氛中100℃退火30min。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種鈣鈦礦太陽能電池的制備方法,其特征在于:所述步驟a1中退火為空氣氣氛中150℃退火60min,所述步驟b1中退火為氮氣氣氛中100℃退火30min。
8.一種鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于:
所述太陽能電池包括正向結構和反向結構,
所述反向結構包括,由下到上依次設置的:
陽極襯底,采用氧化銦錫(ITO)透明導電襯底;
陽極修飾層,為PEDOT:PSS薄膜;
鈣鈦礦活性層,結構式為(CH3)y(CH3NH3)(1-y)PbI3-xClx薄膜,其中0≤x≤3,0<y<1;
陰極修飾層一,為富勒烯的衍生物PC61BM;
陰極修飾層二,氧化鋅納米顆粒
陰極電極,為鋁電極;
所述正向結構包括,由下到上依次的:
陰極襯底,采用氧化銦錫(ITO)透明導電襯底;
陰極修飾層,為氧化鈦薄膜;
鈣鈦礦活性層,結構式為(CH3)y(CH3NH3)(1-y)PbI3-xClx薄膜,其中0≤x≤3,0<y<1;
陽極修飾層,為Spiro-OMeTAD;
陽極電極,為銀電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





