[發明專利]帶有DBR層的太赫茲光電導天線外延結構及制備方法在審
| 申請號： | 201610110101.3 | 申請日： | 2016-02-29 |
| 公開（公告）號： | CN105589119A | 公開（公告）日： | 2016-05-18 |
| 發明（設計）人： | 郭春妍;徐建星;倪海橋;汪韜;牛智川 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G02B5/08 | 分類號： | G02B5/08 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶有 dbr 赫茲 電導 天線 外延 結構 制備 方法 | ||
1.一種帶有DBR層的太赫茲光電導天線的外延結構，包括：
一半絕緣襯底；
一緩沖層，其制作在半絕緣襯底上；
一DBR結構，其制作在緩沖層上；
一低溫層，其制作在DBR結構上。
2.根據權利要求1所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線的外延結 構，其中所述半絕緣襯底、緩沖層和低溫層的材料為GaAs。
3.根據權利要求1所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線的外延結 構，其中DBR結構包括一AlGaAs層和制作在其上的GaAs層。
4.根據權利要求3所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線的外延結 構，其中DBR結構為周期結構，周期數為2-30。
5.一種帶有DBR層的太赫茲光電導天線的外延結構的制備方法，包括 如下步驟：
步驟1：取一半絕緣襯底；
步驟2：在半絕緣襯底上生長緩沖層；
步驟3：在緩沖層上生長DBR結構；
步驟4：在DBR結構上生長低溫層。
步驟5：退火，完成制備。
6.根據權利要求5所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線外延結構的 制備方法，其中所述半絕緣襯底、緩沖層和低溫層的材料為GaAs。
7.根據權利要求5所述的一種帶有DBR層的太赫茲光電導天線外延結 構的制備方法，其中DBR結構包括一AlGaAs層和制作在其上的GaAs層。
8.根據權利要求7所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線外延結構的 制備方法，其中DBR結構為周期結構，周期數為2-30。
9.根據權利要求5所述的帶有DBR層的太赫茲光電導天線外延結構的 制備方法，其中退火的溫度為500-800℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610110101.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
