[發明專利]具有減少的襯底損傷的半導體器件和相關方法在審
| 申請號： | 201610109997.3 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN105679862A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | C·韋恩斯;J·凱里;X·李 | 申請（專利權）人： | 西奧尼克斯公司 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/0256;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐東升;趙蓉民 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 減少 襯底 損傷 半導體器件 相關 方法 | ||
1.一種光電子器件，其包括：
半導體材料；
在所述半導體材料中的第一摻雜區；
在所述半導體材料中與所述第一摻雜區形成結的第二摻雜區；以及
激光處理區，其與所述結關聯并且被配置為與電磁輻射交互，其中來自激 光處理區的至少一部分激光損傷區被去除，以使得所述光電子器件具有約 500mV到約800mV的開路電壓。
2.根據權利要求1所述的器件，其中來自所述激光處理區的激光損傷被去 除，以使得所述光電子器件具有約600mV到約700mV的開路電壓。
3.根據權利要求1所述的器件，其中所述光電子器件對于300nm的電磁 輻射波長具有約50％到約100％的內部量子效率.
4.根據權利要求1所述的器件，其中所述光電子器件對于400nm的電磁 輻射波長具有約70％到約100％的內部量子效率。
5.根據權利要求1所述的器件，其中來自所述激光處理區的激光損傷已經 被充分去除。
6.根據權利要求1所述的器件，其中所述半導體材料包含選自由以下各項 構成的群組的成分：IV族材料、含有來自II族和VI族的材料的化合物和合金、 含有來自III族和V族的材料的化合物和合金以及其組合。
7.根據權利要求1所述的器件，其中所述半導體材料包含選自由以下各項 構成的群組的成分：Si、GaAs、Ge、CIGS、CdTe以及其合金和組合。
8.根據權利要求1所述的器件，其中所述半導體材料包含Si。
9.根據權利要求8所述的器件，其中所述Si包含選自由以下各項構成的 群組的成分：單晶體、復晶體、微晶體、多晶體以及其組合.
10.根據權利要求8所述的器件，其中所述Si是復晶體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
