[發明專利]光電二極管及其制作方法、X射線探測基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201610105256.8
• 申請日: 2016-02-25
• 公開（公告）號: CN105742386A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 趙磊;田彪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/117;H01L27/146;H01L31/20
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種PIN光電二極管，包括：襯底基板，以及位于所述襯底基板上的本征層、第一摻雜層和第二摻雜層；其特征在于，

所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區域內；

所述第一摻雜層和第二摻雜層分別位于所述本征層的相對的兩個傾斜的側表面上。

2.如權利要求1所述的PIN光電二極管，其特征在于，所述本征層在垂直于所述襯底基板的截面為等腰梯形結構。

3.如權利要求1所述的PIN光電二極管，其特征在于，還包括：位于所述第一摻雜層上的第一透明電極層；

以及位于所述第二摻雜層上的第二透明電極層。

4.如權利要求1-3任一項所述的PIN光電二極管，其特征在于，所述第一摻雜層為P型半導體層，所述第二摻雜層為N型半導體層；或

所述第一摻雜層為N型半導體層，所述第二摻雜層為P型半導體層。

5.一種X射線探測基板，其特征在于，包括：薄膜晶體管和PIN光電二極管；其中，

所述PIN光電二極管為如權利要求1-4任一項所述的PIN光電二極管。

6.如權利要求5所述的X射線探測基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；

所述頂柵型薄膜晶體管的漏極與所述PIN光電二極管的第一透明電極層電連接。

7.如權利要求6所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：

位于所述PIN光電二極管的上方的第一保護層；

通過所述第一保護層的過孔與所述PIN光電二極管的第二透明電極層電連接的陰極。

8.如權利要求7所述的X射線探測基板，其特征在于，所述頂柵型薄膜晶體管的源極、漏極與所述陰極同層設置。

9.如權利要求5所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：

位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的下方且位于所述襯底基板的上方的第二保護層。

10.如權利要求5所述的X射線探測基板，其特征在于，還包括：

位于所述薄膜晶體管和PIN光電二極管的上方且層疊設置的樹脂封裝層和閃爍層。

11.一種如權利要求1-4任一項所述PIN光電二極管的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區域內；

通過構圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個傾斜的側表面上形成第一摻雜層的圖形；

通過構圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個傾斜的側表面上形成第二摻雜層的圖形；

通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活。

12.如權利要求11所述的PIN光電二極管的制作方法，其特征在于，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，還包括：

通過一次構圖工藝在所述第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在所述第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。

13.一種如權利要求5-10任一項所述X射線探測基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成本征層的圖形；所述本征層的上表面在所述襯底基板上的正投影位于所述本征層的下表面在所述襯底基板上的正投影所在區域內；

通過構圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的一個傾斜的側表面上形成第一摻雜層的圖形；

通過構圖工藝和離子注入工藝在所述本征層的與形成有所述第一摻雜層相對的另一個傾斜的側表面上形成第二摻雜層的圖形；

通過高溫活化工藝對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管的圖形。

14.如權利要求13所述的X射線探測基板的制作方法，其特征在于，在對所述第一摻雜層和第二摻雜層進行離子激活之后，在形成薄膜晶體管的圖形之前，還包括：

通過一次構圖工藝在第一摻雜層上形成第一透明電極層的圖形，以及在第二摻雜層上形成第二透明電極層的圖形。