[發(fā)明專利]一種微納PSS制備用軟膜及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610103730.3 | 申請日： | 2016-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN105742414A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張偉;孫智江 | 申請（專利權(quán)）人： | 海迪科(南通)光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京一格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 pss 制備 用軟膜 及其 制造 方法 | ||
1.一種微納PSS制備用軟膜制造方法，其特征在于：包括下述步驟：
a）硬膜制備：首先，根據(jù)所需圖形采用Si或SiC基板制備出硬膜；
b）軟膜制備：根據(jù)制備的硬膜利用樹脂注塑成型制備出軟膜半成品；
c）鍍金屬膜：在軟膜半成品上鍍一層厚度在150nm以上的高反射率金屬膜；
d)去金屬膜：采用干法ICP刻蝕去除需曝光處的金屬膜，從而形成所需的軟膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納PSS制備用軟膜制造方法，其特征在于：所述步驟c中，采用電子束蒸鍍或磁控濺射法鍍金屬膜，鍍膜速率為5A/S。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微納PSS制備用軟膜制造方法，其特征在于：所述步驟d中，干法ICP刻蝕的刻蝕速率10A/S。
4.一種利用權(quán)利要求1所述的微納PSS制備用軟膜制造方法制得的軟膜，其特征在于：包括一軟膜主體，該軟膜主體呈長方體狀，在軟膜主體的長軸方向的一側(cè)設(shè)置有梳齒組；所述梳齒組由若干并列等距分布的梳齒共同構(gòu)成，在相鄰的兩個梳齒所形成的凹槽的內(nèi)壁上還設(shè)置有高反射金屬層，且高反射金屬層覆蓋住相鄰兩個梳齒所形成的凹槽。
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