[發明專利]射頻三極管的制備方法和射頻三極管

在審

• 申請號: 201610099883.5
• 申請日: 2016-02-23
• 公開（公告）號: CN107104049A
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發明（設計）人: 馬萬里;石金成
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L29/772
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種射頻三極管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層；

以所述圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過熱氧化工藝處理所述外延層以形成場氧化層；

去除所述氮化硅層，以暴露出所述外延層的指定區域為止；

在刻蝕所述場氧化層的襯底上依次形成第一多晶硅層，并對第一多晶硅層進行第一次P型離子注入；

在完成離子注入的第一多晶硅層上形成氮化硅介質層；

刻蝕所述第一多晶硅層和氮化硅介質層，以形成注入窗口；

在所述注入窗口下方的外延層中進行第二次P型離子注入，通過退火工藝在所述外延層中形成第一離子摻雜區和第二離子摻雜區；

在所述注入窗口中形成側墻結構；

在所述側墻結構和所述第二離子摻雜區上方形成第二多晶硅層；

對所述第二多晶硅層進行第三次N型離子注入，以形成第三離子摻雜區；

在形成所述第三離子摻雜區的襯底上形成金屬電極，以完成所述射頻三極管的制備。

2.根據權利要求1所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層，具體包括以下步驟：

以溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝在所述襯底上形成所述氧化層。

3.根據權利要求2所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層，具體還包括以下步驟：

以溫度范圍為600℃至900℃的化學氣相淀積工藝在所述氧化層上形成所述氮化硅層；

通過光刻工藝和刻蝕工藝對所述氮化硅層進行圖形化處理，以形成所述圖形化的氮化硅層。

4.根據權利要求3所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，以所述圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過熱氧化工藝處理所述外延層以形成場氧化層，具體包括以下步驟：

以所述圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝處理所述外延層，以形成場氧化層。

5.根據權利要求4所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在刻蝕所述場氧化層的襯底上依次形成第一多晶硅層，并對第一多晶硅層進行第一次P型離子注入，具體包括以下步驟：

第一次P型離子注入的劑量范圍為1.0E14/cm²至1.0E16/cm²，注入能量范圍60keV至120keV。

6.根據權利要求5所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在所述注入窗口下方的外延層中進行第二次P型離子注入，通過退火工藝在所述外延層中形成第一離子摻雜區和第二離子摻雜區，具體包括以下步驟：

第二次P型離子注入的劑量范圍為1.0E12/cm²至1.0E14/cm²，注入能量范圍60keV至120keV，在所述注入窗口下方的外延層中形成所述第二離子摻雜區。

7.根據權利要求6所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在所述側墻結構和所述第二離子摻雜區上方形成第二多晶硅層具體包括以下步驟：

在所述側墻結構和所述第二離子摻雜區上方，以溫度范圍為500℃至800℃的化學氣相淀積工藝形成所述第二多晶硅層。

8.根據權利要求7所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，對所述第二多晶硅層進行第三次N型離子注入，以形成第三離子摻雜區，具體包括以下步驟：

第三次N型離子注入的的劑量范圍為1.0E14/cm²至1.0E16/cm²，注入能量范圍60keV至120keV，通過所述第三次N型離子注入和退火工藝 形成所述第三離子摻雜區。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的射頻三極管的制備方法，其特征在于，在形成所述第三離子摻雜區的襯底上形成金屬電極，以完成所述射頻三極管的制備，具體包括以下步驟：

在形成所述第三離子摻雜層的襯底上形成介質層；

分別在所述第一多晶硅層和第二多晶硅層的上方刻蝕形成接觸孔；

通過金屬濺射工藝形成連接所述接觸孔的金屬電極。

10.一種射頻三極管，其特征在于，采用如權利要求1至9中任一項所述的射頻三極管的制備方法制備而成。