[發(fā)明專利]氮化鎵二極管的制作方法與氮化鎵二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610099816.3 | 申請日： | 2016-02-23 |
| 公開（公告）號： | CN107104176B | 公開（公告）日： | 2019-04-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉美華;孫輝;林信南;陳建國 | 申請（專利權）人： | 北京大學;北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬爽;黃健 |
| 地址： | 100871*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 二極管 制作方法 | ||
1.一種氮化鎵二極管的制作方法，其特征在于，包括：
在氮化鎵基底上形成介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層中形成陰極金屬，所述陰極金屬接觸所述氮化鎵基底；
在所述介質(zhì)層中形成陽極金屬，并在所述陽極金屬和所述陰極金屬之間的介質(zhì)層中形成金屬場板，所述陽極金屬和所述金屬場板均接觸所述氮化鎵基底；
在所述介質(zhì)層上形成未與所述金屬場板連接的金屬互連層，且所述金屬互連層分別與所述陰極金屬和所述陽極金屬連接；
在所述介質(zhì)層中形成陽極金屬，并在所述陽極金屬和所述陰極金屬之間的介質(zhì)層中形成金屬場板包括：
在所述介質(zhì)層中同時形成陽極接觸孔和環(huán)形的金屬場板接觸孔，露出所述氮化鎵基底；
在所述陽極接觸孔和金屬場板接觸孔中同時填充金屬，分別形成陽極金屬和環(huán)形的所述金屬場板；
在所述氮化鎵基底上形成介質(zhì)層包括：
在所述氮化鎵基底上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成氧化層；
所述在所述介質(zhì)層中同時形成陽極接觸孔和環(huán)形的金屬場板接觸孔包括：
同時刻蝕所述氧化層露出所述鈍化層，在所述氧化層中分別形成第一陽極孔和環(huán)形的第一場板孔；
同時刻蝕所述鈍化層露出所述氮化鎵基底，在所述鈍化層中分別形成第二陽極孔和環(huán)形的第二場板孔，所述第二陽極孔的寬度小于所述第一陽極孔，所述第二場板孔的寬度小于所述第一場板孔。
2.根據(jù)權利要求1中任一項所述的氮化鎵二極管的制作方法，其特征在于，所述金屬場板包括自下而上依次形成的TiN層、Ti層、Al層、Ti層和TiN層。
3.一種氮化鎵二極管，其特征在于，包括：
氮化鎵基底；
介質(zhì)層，形成于所述氮化鎵基底上；
陰極金屬，位于所述介質(zhì)層中且所述陰極金屬接觸所述氮化鎵基底；
陽極金屬，位于所述介質(zhì)層中且所述陽極金屬接觸所述氮化鎵基底；
金屬場板，位于所述陰極金屬和所述陽極金屬之間的介質(zhì)層中，且所述金屬場板接觸所述氮化鎵基底；
未與所述金屬場板連接的金屬互連層，位于所述介質(zhì)層上，且所述金屬互連層分別與所述陰極金屬和所述陽極金屬連接；
所述金屬場板呈環(huán)形；
所述介質(zhì)層包括自下而上依次形成的鈍化層和氧化層；
所述金屬場板包括環(huán)形的第一場板部件和環(huán)形的第二場板部件，所述第一場板部件位于所述氧化層中，所述第二場板部件位于所述鈍化層中，所述第一場板部件的寬度大于所述第二場板部件的寬度。
4.根據(jù)權利要求3中任一項所述的氮化鎵二極管，其特征在于，所述金屬場板包括自下而上依次形成的Ti層、Al層、Ti層和TiN層。
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