[發(fā)明專利]具有新型量子阱的發(fā)光二極管外延片及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610098456.5
• 申請(qǐng)日: 2016-02-23
• 公開（公告）號(hào): CN105609601B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫玉芹;董彬忠;王江波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種具有新型量子阱的發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在所述襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層和P型GaN載流子層，所述多量子阱有源層包括交替生長(zhǎng)的M+N個(gè)量子阱層和M+N個(gè)量子壘層，所述量子阱層為InGaN阱層，所述量子壘層為GaN壘層；

其特征在于，所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述N型GaN層的M個(gè)所述量子阱層的厚度逐漸變化，且在所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述N型GaN層的M個(gè)所述量子阱層中，靠近所述N型GaN層的量子阱層的厚度大于靠近所述P型GaN載流子層的量子阱層的厚度，所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述P型GaN載流子層的N個(gè)所述量子阱層的厚度均小于所述M個(gè)所述量子阱層的厚度，M和N均為大于1的正整數(shù)，且M與N的差值為0，

所述M+N為6，靠近所述N型GaN層的3個(gè)所述量子阱層的厚度分別為d1、d2和d3，4.5nm≤d1≤6nm，4nm≤d2≤4.4nm，3.5nm≤d3≤4nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述N個(gè)所述量子阱層的厚度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述N個(gè)所述量子阱層的厚度均為D，2.5nm≤D≤3.4nm。

4.一種具有新型量子阱的發(fā)光二極管外延片制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長(zhǎng)u型GaN層和N型GaN層；

在所述N型GaN層上生長(zhǎng)多量子阱有源層，在所述多量子阱有源層上生長(zhǎng)P型GaN載流子層；

所述多量子阱有源層包括交替生長(zhǎng)的M+N個(gè)量子阱層和M+N個(gè)量子壘層，所述量子阱層為InGaN阱層，所述量子壘層為GaN壘層，所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述N型GaN層的M個(gè)所述量子阱層的厚度逐漸變化，且在所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述N型GaN層的M個(gè)所述量子阱層中，靠近所述N型GaN層的量子阱層的厚度大于靠近所述P型GaN載流子層的量子阱層的厚度，所述M+N個(gè)量子阱層中靠近所述P型GaN載流子層的N個(gè)所述量子阱層的厚度均小于所述M個(gè)所述量子阱層的厚度，M和N均為大于1的正整數(shù)，且M與N的差值為0，所述M+N為6，靠近所述N型GaN層的3個(gè)所述量子阱層的厚度分別為d1、d2和d3，4.5nm≤d1≤6nm，4nm≤d2≤4.4nm，3.5nm≤d3≤4nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述N個(gè)所述量子阱層的厚度相等。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述N個(gè)所述量子阱層的厚度均為D，2.5nm≤D≤3.4nm。