[發明專利]多晶硅生產工藝有效
| 申請號： | 201610092668.2 | 申請日： | 2016-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN107098348B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 齊林喜;郭金強 | 申請（專利權）人： | 巴彥淖爾聚光硅業有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/03 | 分類號： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250 | 代理人： | 儲照良 |
| 地址： | 015500 內蒙古自治區巴彥淖爾市*** | 國省代碼： | 內蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 生產工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅生產工藝，包括如下步驟：
硅棒初步生長步驟：在還原爐里通入氫氣和二氯二氫硅，在硅芯表面生成多晶硅使硅棒生長到預定尺寸，所述預定尺寸為40毫米；
硅棒完整生長步驟：通入三氯氫硅、二氯二氫硅和氫氣的混合氣體，完成硅棒生長，其中，二氯二氫硅的含量占總進料量的5％至10％，氫氣的進料量比例在22.5～23.75％之間，三氯氫硅在67.5％～71.25％之間；
開爐步驟：待硅棒生長完成后，打開還原爐，取出硅棒。
2.如權利要求1所述的多晶硅生產工藝，其特征在于：硅棒初步生長步驟的溫度控制在600到900攝氏度，壓力為常壓至1.0兆帕。
3.如權利要求2所述的多晶硅生產工藝，其特征在于：硅芯直徑為10毫米。
4.如權利要求1所述的多晶硅生產工藝，其特征在于：在硅棒完整生長步驟，溫度為1150攝氏度，壓力控制在常壓至1.0兆帕，持續生長120～130小時。
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