[發明專利]靜態隨機存儲器位線預充電路

有效

• 申請號: 201610086783.9
• 申請日: 2016-02-16
• 公開（公告）號: CN105761747B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 楊光華;孔蔚然
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于，位線預充電路連接在靜態隨機存儲器的存儲單元的邏輯互補的第一位線和第二位線之間，所述位線預充電路在預充電使能信號使能時工作，所述預充電使能信號在讀寫操作完成后使能、在讀寫操作期間不使能，所述位線預充電路包括：

位線平衡電路，其控制端連接位線平衡使能信號，用于對所述第一位線和所述第二位線的電壓進行平衡并使平衡后所述第一位線和所述第二位線的電壓都為平衡電壓；

電壓判斷電路，用于對所述平衡電壓和預充電閾值電壓進行比較且根據比較結果信號以及所述預充電使能信號形成預充電判斷信號；

開關電路，其控制端連接所述預充電判斷信號，所述開關電路連接在預充電壓源和所述第一位線以及所述第二位線之間；

在所述預充電使能信號使能時：當所述平衡電壓大于等于所述預充電閾值電壓時，所述開關電路使所述第一位線和所述預充電壓源的連接以及所述第二位線和所述預充電壓源的連接都斷開，從而使所述第一位線和所述第二位線的電壓都保持為所述平衡電壓；當所述平衡電壓小于所述預充電閾值電壓時，所述開關電路使所述第一位線和所述預充電壓源的連接以及所述第二位線和所述預充電壓源的連接都導通，從而使所述第一位線和所述第二位線的電壓充電到所述預充電壓源提供的預充電壓；

在所述預充電使能信號不使能時，所述開關電路使所述第一位線和所述預充電壓源的連接以及所述第二位線和所述預充電壓源的連接都斷開。

2.如權利要求1所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述位線平衡電路包括第一MOS晶體管，所述第一MOS晶體管的柵極連接位線平衡使能信號，所述第一MOS晶體管的源極和漏極連接在所述第一位線和所述第二位線之間，所述第一MOS晶體管作為所述第一位線和所述第二位線連接的開關，通過所述位線平衡使能信號控制所述第一MOS晶體管的導通和斷開。

3.如權利要求2所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述第一MOS晶體管由PMOS管組成；所述位線平衡使能信號為低電平時所述第一MOS晶體管導通，所述位線平衡使能信號為高電平時所述第一MOS晶體管斷開。

4.如權利要求3所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述預充電使能信號為高電平時使能、在低電平時不使能，所述位線平衡使能信號為所述預充電使能信號的反相信號。

5.如權利要求1所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述電壓判斷電路包括比較器，所述比較器的正相輸入端連接所述預充電閾值電壓、反相輸入端連接所述平衡電壓。

6.如權利要求5所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述比較器的反相輸入端通過連接所述第一位線或所述第二位線來連接所述平衡電壓。

7.如權利要求5所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述電壓判斷電路還包括雙輸入與非門，所述比較器的輸出端連接到所述雙輸入與非門的第一輸入端，所述預充電使能信號連接到所述雙輸入與非門的第二輸入端，所述預充電使能信號為高電平時使能、在低電平時不使能；所述雙輸入與非門的輸出端輸出所述預充電判斷信號。

8.如權利要求7所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述開關電路包括第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極都連接所述預充電判斷信號，所述第二PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極都連接所述預充電壓源，所述第二PMOS管的漏極連接所述第一位線，所述第三PMOS管的漏極連接所述第二位線。

9.如權利要求7所述的靜態隨機存儲器位線預充電路，其特征在于：所述開關電路包括第二NMOS管和第三NMOS管，所述第二NMOS管的柵極和所述第三NMOS管的柵極都連接所述預充電判斷信號的反相信號，所述第二NMOS管的漏極和所述第三NMOS管的漏極都連接所述預充電壓源，所述第二NMOS管的源極連接所述第一位線，所述第三NMOS管的源極連接所述第二位線。