[發(fā)明專利]一種基于表面等離激元的四象限探測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610083535.9 | 申請(qǐng)日: | 2016-02-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105698677B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王家園 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01B11/00 | 分類號(hào): | G01B11/00 |
| 代理公司: | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 劉勇 |
| 地址: | 361005 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面等離激元 四象限探測(cè)器 網(wǎng)格 四象限光電探測(cè)器 方向單位矢量 光學(xué)測(cè)量技術(shù) 反應(yīng)速度快 金屬膜表面 正方形凹槽 正方形網(wǎng)格 直角坐標(biāo)系 光斑 格點(diǎn)位置 金屬薄膜 器件集成 耦合效率 暗電流 半波長(zhǎng) 金屬膜 亞波長(zhǎng) 邊長(zhǎng) 列數(shù) 行數(shù) 制備 尺度 | ||
一種基于表面等離激元的四象限探測(cè)器,屬于光學(xué)測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域。四象限光電探測(cè)器設(shè)有金屬膜,在金屬膜表面設(shè)有一組邊長(zhǎng)為a的亞波長(zhǎng)正方形凹槽,一般要求a約等于半波長(zhǎng)以便有較高的耦合效率。各凹槽的位置位于一個(gè)M×N的正方形網(wǎng)格的格點(diǎn)位置,M表示網(wǎng)格的列數(shù),N表示網(wǎng)格的行數(shù),M可等于N,M和N的選取要求使器件的尺寸和光斑尺寸可以比擬。因此每個(gè)凹槽的中心位置記為rm,n=max+nay,x和y是直角坐標(biāo)系的x和y方向單位矢量,m和n是任何絕對(duì)值不大于M的整數(shù),某個(gè)凹槽的位置記為(m,n)。反應(yīng)速度快、暗電流小。器件可以制備在幾十納米厚度的金屬薄膜上,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,尺度小、利于器件集成化。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光學(xué)測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,涉及四象限探測(cè)器,尤其涉及一種基于表面等離激元的四象限探測(cè)器及其對(duì)光束位置進(jìn)行探測(cè)的方法。
背景技術(shù)
表面等離激元SPP(Surface Plasmon Polariton)是一種局域在金屬/介質(zhì)界面上,并沿金屬表面?zhèn)鞑サ碾姶拍J剑姶艌?chǎng)強(qiáng)度在垂直于金屬表面的方向上指數(shù)衰減;并且沿傳播方向的波數(shù)大于同一頻率下光子在該介質(zhì)中自由傳播的波數(shù)。因此若以表面等離激元作為信號(hào)載體,將非常適合實(shí)現(xiàn)二維的全光、電光集成;其次,由于金屬表面的強(qiáng)約束,表面等離激元的電磁場(chǎng)在空間上的延展主要取決于金屬微納米結(jié)構(gòu)尺度而不是波長(zhǎng),從而有能力突破衍射極限,縮小光路中器件的尺寸。因此普遍認(rèn)為表面等離激元將在納米光子學(xué)領(lǐng)域獲得重要應(yīng)用。基于表面等離激元的各種器件的研究以及相關(guān)理論研究成為近年來(lái)的熱點(diǎn),吸引著眾多科研人員的關(guān)注。
另外,實(shí)現(xiàn)對(duì)光束位置測(cè)量在諸多應(yīng)用領(lǐng)域至關(guān)重要,比如激光雷達(dá)、激光制導(dǎo)武器、自由空間光通信等。在各種位置傳感器中,四象限探測(cè)器是應(yīng)用最普遍的一種。傳統(tǒng)的四象限探測(cè)器是用十字叉線均勻?qū)ΨQ地將一個(gè)圓形光敏面分成四部分,因此它實(shí)際上是由四個(gè)性能完全一致、緊密靠在一起的光電探測(cè)器組成,然而其典型尺寸在毫米甚至厘米量級(jí),顯然不適用在微納尺度上的光子學(xué)器件的集成。因此通過(guò)發(fā)現(xiàn)新原理和新方法,實(shí)現(xiàn)小尺度的表面等離激元四象限探測(cè)器,成為表面等離激元器件的一個(gè)研究難點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種反應(yīng)速度快、暗電流小,可以制備在幾十納米厚度的金屬薄膜上,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺度小、非常利于器件集成化的基于表面等離激元的四象限光電探測(cè)器及其對(duì)光束位置進(jìn)行探測(cè)的方法。
本發(fā)明所述一種基于表面等離激元的四象限光電探測(cè)器,其特征在于,設(shè)有金屬膜,在金屬膜表面設(shè)有一組邊長(zhǎng)為a的亞波長(zhǎng)正方形凹槽,各凹槽的位置位于一個(gè)M×N的正方形網(wǎng)格的格點(diǎn)位置,M表示網(wǎng)格的列數(shù),N表示網(wǎng)格的行數(shù),M可等于N,每個(gè)凹槽的位置記為rm,n=max+nay,x和y是直角坐標(biāo)系x和y方向單位矢量,m和n是任何絕對(duì)值不大于M的整數(shù),某個(gè)凹槽的位置記為(m,n)。
所述金屬膜可為金膜、銀膜、鋁膜等金屬膜。
所述金屬膜的厚度可為40~70nm;所述正方形凹槽的邊長(zhǎng)可為300~500nm,深度可為30~60nm。
本發(fā)明所述對(duì)光束位置進(jìn)行探測(cè)的方法,可采用下述兩種技術(shù)方案:
第一技術(shù)方案:對(duì)光束位置進(jìn)行探測(cè)的方法,采用所述基于表面等離激元的四象限光電探測(cè)器,包括以下步驟:
1)按照波動(dòng)光學(xué),設(shè)計(jì)凹槽在網(wǎng)格上的排列位置,使激發(fā)的表面等離激元能實(shí)現(xiàn)四個(gè)焦點(diǎn),分別位于±x和±y軸上,且焦距相等;
2)調(diào)整器件和入射高斯光束的相對(duì)位置:要求入射光垂直金膜表面;要求光束腰的位置和金膜表面重合;要求偏振方向沿著正方形凹槽對(duì)角線方向;
3)采集四個(gè)焦點(diǎn)位置的表面等離激元強(qiáng)度,類比標(biāo)準(zhǔn)的四象限探測(cè)器算法,由焦點(diǎn)的強(qiáng)度Ii,其中i=1,2,3,4,計(jì)算出一組包含光束位置信息的相對(duì)位置坐標(biāo)(χ,ψ)。
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