[發明專利]SiC MOSFET器件單元及其制造方法有效
| 申請號： | 201610080830.9 | 申請日： | 2016-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN105576032B | 公開（公告）日： | 2019-03-12 |
| 發明（設計）人： | 廖奇泊;陳俊峰;古一夫;周雯 | 申請（專利權）人： | 廈門芯晶亮電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 361028 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic mosfet 器件 單元 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiCMOSFET器件單元的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一，在N型基質上沉積N型的SiC層，在N型的SiC層上方則再沉積一般的P型硅層；
步驟二，第一柵極溝槽曝光顯影及蝕刻；
步驟三，在蝕刻及光阻去除后作P型離子植入；
步驟四，柵極溝槽介電層沉積；
步驟五，N型多晶硅沉積及回蝕刻形成柵極結構；
步驟六，N型重摻雜離子植入，N型重摻雜濃度要求大于步驟三的P型離子植入濃度；
步驟七，第二溝槽曝光顯影及蝕刻，第二溝槽位于第一柵極溝槽的一側；
步驟八，P型SiC壘晶在N+源極層的中間沉積，P型SiC的摻雜濃度大于P型硅的摻雜濃度；
步驟九，介電層在第二溝槽和第一柵極溝槽上沉積及連接曝光顯影及蝕刻，金屬層沉積曝光顯影及蝕刻。
2.根據權利要求1所述的SiCMOSFET器件單元的制造方法，其特征在于，所述步驟二的具體步驟如下：光膠涂布后使用光罩曝光及光膠顯影，利用電漿蝕刻形成柵極溝槽，光阻去除。
3.根據權利要求1所述的SiCMOSFET器件單元的制造方法，其特征在于，所述步驟四的具體步驟如下：使用酸槽進行沉積前清洗，使用高溫爐管形成薄氧化硅，使用酸槽進行薄氧化層去除，柵極溝槽介電層沉積。
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