[發明專利]一種溝槽式MOS肖特基二極管在審

申請號：	201610075455.9	申請日：	2016-02-03
公開（公告）號：	CN105514178A	公開（公告）日：	2016-04-20
發明（設計）人：	黃仲濬;蔣文甄	申請（專利權）人：	泰州優賓晶圓科技有限公司
主分類號：	H01L29/872	分類號：	H01L29/872
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	225500 江蘇省泰州市姜***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種溝槽 mos 肖特基二極管
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【權利要求書】：

1.一種溝槽式MOS肖特基二極管，其特征在于：包括肖特基接觸金屬、二氧化硅環、外延膜、歐姆接觸金屬、襯底基片和焊壓塊，肖特基接觸金屬中間設置有溝槽，二氧化硅環套在肖特基接觸金屬的下部凸起上，肖特基接觸金屬的下部凸起設置在外延膜上，外延膜設置在襯底基片上，焊壓塊設置在襯底基片的另一面，歐姆接觸金屬設置在焊壓塊的背面。

2.根據權利要求1所述的溝槽式MOS肖特基二極管，其特征在于：所述肖特基接觸金屬表面設置有絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的溝槽式MOS肖特基二極管，其特征在于：所述外延膜表面設置有保護環。

4.根據權利要求1所述的溝槽式MOS肖特基二極管，其特征在于：所述歐姆接觸金屬表面設置有防腐層。

5.根據權利要求1所述的溝槽式MOS肖特基二極管，其特征在于：所述肖特基接觸金屬，包括襯底、金屬片和反向偏置肖特基勢壘，襯底設置在金屬片的背部，反向偏置肖特基勢壘均與布設在金屬片的表面。

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