[發(fā)明專利]碳納米管薄膜、包含該薄膜的裝置及制備方法、載體基板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610073659.9 | 申請日: | 2016-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN105702861A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張方振;惠官寶;高濤;寧策 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/05 | 分類號: | H01L51/05;H01L27/28;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 薄膜 包含 裝置 制備 方法 載體 | ||
1.一種碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于,包括:
將載體基板放入碳納米管懸浮液中,所述載體基板包括第一襯底 基板以及形成于所述第一襯底基板上的電極對,所述電極對包括相對 設(shè)置的第一電極和第二電極;
對構(gòu)成所述電極對的第一電極和第二電極分別施加電壓,使得所 述第一電極和所述第二電極之間形成電場,所述碳納米管懸浮液中的 碳納米管在所述電場作用下聚集在所述第一襯底基板設(shè)置有所述電極 對的一側(cè)表面,以形成碳納米管薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 對所述第一電極和所述第二電極分別施加的電壓為1V~50V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 對構(gòu)成所述電極對的第一電極和第二電極分別施加電壓的時間為 1s~300s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 所述碳納米管懸浮液中分散劑包括乙醇、氯仿、鄰二甲苯、甲苯中的 至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 還包括:將形成有碳納米管薄膜的第一襯底基板從所述碳納米管懸浮 液中取出,并對所述碳納米管薄膜行進(jìn)行干燥處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 構(gòu)成所述第一電極的材料包括鋁和銅中的至少一種;
構(gòu)成所述第二電極的材料包括鋁和銅中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米管薄膜的制備方法,其特征在于, 所述將載體基板放入碳納米管懸浮液中之前,還包括:
在所述載體基板上形成犧牲層,所述犧牲層至少覆蓋部分所述電 極對的表面,以及構(gòu)成一電極對的第一電極與第二電極之間的所述第 一襯底基板的表面。
8.一種薄膜晶體管的制備方法,其特征在于,包括:
采用如權(quán)利要求1-7任一項所述的碳納米管薄膜的制備方法形成 碳納米管薄膜;
將第一襯底基板與待制備薄膜晶體管的第二襯底基板對合,并將 所述碳納米管薄膜轉(zhuǎn)印至所述薄膜晶體管有源層的預(yù)設(shè)位置;其中, 所述碳納米管薄膜的圖案與所述薄膜晶體管有源層的圖案相匹配;
剝離所述第一襯底基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法,其特征在于, 所述將第一襯底基板與待制備薄膜晶體管的第二襯底基板對合,并將 所述碳納米管薄膜轉(zhuǎn)印至所述薄膜晶體管有源層的預(yù)設(shè)位置之前,所 述方法還包括:
在所述碳納米管薄膜背離所述第一襯底基板的一側(cè)表面形成粘結(jié) 層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管的制備方法,其特征在于, 當(dāng)載體基板上形成有犧牲層時,所述剝離第一襯底基板之后,所述方 法還包括將所述犧牲層去除。
11.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括如權(quán)利要求8-10 任一項所述的薄膜晶體管的制備方法;
其中,第二襯底基板上形成有多個呈矩陣形式排列的待成型薄膜 晶體管,第一襯底基板上的一個電極對的位置與一個薄膜晶體管的預(yù) 設(shè)位置相對應(yīng),以使得形成在所述電極對上的碳納米管薄膜的位置與 所述薄膜晶體管有源層的預(yù)設(shè)位置相對應(yīng)。
12.一種薄膜晶體管,其特征在于,采用如權(quán)利要求8-10任一項 所述的薄膜晶體管的制備方法制得。
13.一種陣列基板,其特征在于,采用如權(quán)利要求11所述的陣列 基板的制備方法制得。
14.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求13所述的陣列 基板。
15.一種應(yīng)用于如權(quán)利要求8-10任一項所述的薄膜晶體管的制備 方法中的載體基板,其特征在于,所述載體基板包括第一襯底基板以 及形成于所述第一襯底基板上的電極對,所述電極對包括相對設(shè)置的 第一電極和第二電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





