[發明專利]一種用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐及其制備方法

有效

• 申請號: 201610071516.4
• 申請日: 2016-02-02
• 公開（公告）號: CN105442042B
• 公開（公告）日: 2018-01-12
• 發明（設計）人: 張學日;雷琦;何亮;胡動力
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，包括坩堝、圍繞在所述坩堝外壁四周且與所述坩堝外壁緊密接觸的護板以及蓋住所述護板圍成的口部的蓋板，所述護板遠離坩堝的外表面和所述蓋板遠離坩堝的外表面均設有能與碳反應的涂層，所述涂層的材質為石英、硅粉和硅溶膠中的至少一種，所述石英和所述硅粉中的至少一種經過氧化處理。

2.如權利要求1所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述涂層的材質為所述石英和所述硅溶膠形成的混合物，所述石英和所述硅溶膠的質量比為1:1-3。

3.如權利要求1所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一種經過過氧化氫氧化處理。

4.如權利要求3所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一種的氧化處理的方法為：將所述石英和所述硅粉中的至少一種與所述過氧化氫混合，攪拌5-20min后，浸泡0.5-5h，得到過氧化氫氧化處理的石英和經過過氧化氫氧化處理的硅粉中的至少一種。

5.如權利要求4所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述石英和所述硅粉中的至少一種與所述過氧化氫的質量比為1:1-4。

6.如權利要求1所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述涂層的厚度為50μm-150μm。

7.如權利要求1所述的用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐，其特征在于，所述坩堝的口沿和所述坩堝內壁靠近所述坩堝口沿的位置中的至少一處位置設有所述涂層。

8.一種用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供護板和蓋板，所述護板包括相對設置的外表面和內表面，所述蓋板包括相對設置的外表面和內表面，在所述護板的外表面和所述蓋板的外表面均刷涂或噴涂有能與碳反應的涂層，所述涂層的材質為石英、硅粉和硅溶膠中的至少一種，所述石英和所述硅粉中的至少一種經過氧化處理；

將所述護板圍繞在在所述坩堝外壁四周，使所述護板的內表面與所述坩堝外壁緊密接觸，所述蓋板的內表面蓋住所述護板圍成的口部，得到用于減少多晶硅錠碳含量的鑄錠爐。