[發(fā)明專(zhuān)利]一種利用高性能非揮發(fā)固態(tài)存儲(chǔ)器提高海量固態(tài)硬盤(pán)性能及可靠性的方案在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610070016.9 | 申請(qǐng)日： | 2016-02-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105761756A | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張駿 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 天固科技（杭州）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G11C16/22 | 分類(lèi)號(hào)： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 利用 性能 揮發(fā) 固態(tài) 存儲(chǔ)器 提高 海量 硬盤(pán) 可靠性 方案 | ||
1.一種高性能高可靠性固態(tài)硬盤(pán)的設(shè)計(jì)方案包含至少一個(gè)主控器運(yùn)行的控制算法，一個(gè)或多個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)單元(如NANDFlash芯片)，一個(gè)或多個(gè)用于存放邏輯區(qū)號(hào)到物理區(qū)號(hào)的映射表的隨機(jī)存儲(chǔ)器，及快速讀寫(xiě)暫存區(qū)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，其特征在于該隨機(jī)存儲(chǔ)器由NVRAM來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤(pán)設(shè)計(jì)方案，其特征在于：所述NVRAM為MegnetoResistiveRAM(mRAM)，或PhaseChangeMemory(PCM)，或FerroelectricRAM(FeRAM)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤(pán)設(shè)計(jì)方案，其特征在于：所述控制算法在檢測(cè)到掉電觸發(fā)信號(hào)后將環(huán)境變量保存于NVRAM中然后將系統(tǒng)置于寫(xiě)保護(hù)模式。所述算法在重新上電后恢復(fù)環(huán)境變量并從掉電前的斷點(diǎn)繼續(xù)進(jìn)行正常操作。
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