[發明專利]一種甘薯霧培育苗方法

有效

• 申請號: 201610068555.9
• 申請日: 2016-02-01
• 公開（公告）號: CN105532412B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 郭華春;張光海;李彩斌;王瓊
• 申請（專利權）人: 云南農業大學
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 北京名華博信知識產權代理有限公司 11453
• 代理人: 李中強

本發明涉及一種甘薯霧培育苗方法，屬于甘薯育苗技術領域，具體步驟為：對霧培溫室和栽培苗床清掃、消毒；配制霧培營養液；剪取甘薯種苗；剪去所有葉片后直接留2節于霧培苗床表面，3節懸空于苗床內定植種苗；霧培35～40天，甘薯藤蔓長至35～40cm時，開始第1次剪苗；待第1次剪苗后30～35天后，側芽新長出的藤蔓長至35～40cm時，進行第2次剪苗；第2次剪苗后，將苗床表面的4個葉節下放2個葉節用于接收營養液以形成新的根系，繼續下一周期的剪苗過程。本發明采用霧培方式，短周期、連續多次地生產健康的甘薯種苗；成活率高、發根速度快，且繁殖周期短、繁殖系數高、生產成本低；本發明方法操作簡單、無需大田繁瑣的栽培管理措施，節省勞動力。

技術領域

本發明屬于甘薯育苗技術領域，具體地說，涉及一種甘薯霧培育苗方法。

背景技術

甘薯是無性繁殖作物，通常有塊根和藤蔓育苗兩種方法，塊根育苗成本高、繁殖系數低；藤蔓育苗繁殖系數高、成本低，但是存在無法越冬的問題。所以必須探索一種優質、快速、低成本的甘薯育苗新方法。

關于甘薯的育苗方法，目前多采用薯塊育苗和莖蔓育苗，即采用已過休眠期的薯塊播種在大田發芽，或是直接采用頭年的老莖蔓進行扦插育苗。公開號為CN104145687A公開了甘薯大田起壟覆膜育苗方法；公開號為CN104782487A公開了甘薯的穴盤基質快繁的育苗方法、《南方農業學報》2011年公開了“甘薯藤蔓漂浮育苗快繁技術研究初報”，此技術是以甘薯的藤蔓為育苗材料，先建立無土漂浮育苗池，將甘薯莖蔓直插在裝有基質的漂浮盤穴孔中，最后把扦插后的漂浮盤放入育苗池中；公開號為CN103960134A公開了甘薯水培方式育苗的方法，此技術是將甘薯莖蔓扦插于泡沫盤漂浮于營養液中進行育苗。但關于甘薯霧培育苗技術尚未見報道。

發明內容

為了克服背景技術中存在的問題，本發明提供了一種甘薯霧培育苗方法，利用甘薯藤蔓直接霧培育苗，成活率高，發根速度快，能快速高效的獲得健康、健壯的種苗；可以根據栽培季節要求，隨時提供種苗，解決了冬季大田甘薯種苗無法越冬的問題；通過連續多次剪苗，大大加快了種苗的生長速度，縮短了繁殖周期，提高了繁殖系數，生產成本得到大幅控制；可以避免土傳性病害的浸染，保持了甘薯的種質，為后期發揮品種效應和增產效應奠定基礎；無需耕地起壟、灌溉、除草、施肥等栽培管理，節省勞動力；霧培所用的營養液可循環利用且無外排，是一種節水節肥無污染的培育方法。

為實現上述目的，本發明是通過如下技術方案實現的：

一種甘薯霧培育苗方法，具體步驟為：

1)對霧培溫室清掃、消毒：對整個溫室進行熏蒸消毒，用高錳酸鉀與甲醛混合時產生的蒸汽來進行殺菌，每1㎡采用8ml的甲醛加5g的高錳酸鉀進行混合，熏蒸一周后，對霧培栽培苗床進行消毒，采用2％的次氯酸鈉溶液對苗床內外進行噴霧消毒；