[發(fā)明專利]一種電荷耦合器件中子輻照后的電荷轉(zhuǎn)移效率測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610067202.7
• 申請(qǐng)日: 2016-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN105572486B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王祖軍;黃紹艷;姚志斌;何寶平;劉敏波;唐本奇;肖志剛;盛江坤;馬武英;羅通頂;陳偉;薛院院
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G01R29/08
• 分類號(hào): G01R29/08
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 楊亞婷

1.一種電荷耦合器件中子輻照后的電荷轉(zhuǎn)移效率測(cè)試方法，其特征在于：

1)采用飽和光強(qiáng)光照，使中子輻照后的CCD處于飽和曝光狀態(tài)，以消除中子輻照后位移損傷帶來(lái)的大量暗信號(hào)尖峰影響；

2)成像時(shí)，在像元信號(hào)輸出末端，增加過(guò)掃描像素輸出單元，使中子輻照誘發(fā)產(chǎn)生的缺陷俘獲CCD信號(hào)后，所損失的信號(hào)電荷在過(guò)掃描像素輸出單元中收集；

3)通過(guò)測(cè)試過(guò)掃描像素輸出單元信號(hào)電荷，計(jì)算中子輻照后CCD的CTE。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷耦合器件中子輻照后的電荷轉(zhuǎn)移效率測(cè)試方法，其特征在于：

步驟2)中，將過(guò)掃描像素輸出單元中收集信號(hào)電荷取平均值，以充分反映中子位移損傷誘發(fā)產(chǎn)生信號(hào)電荷損失的影響。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電荷耦合器件中子輻照后的電荷轉(zhuǎn)移效率測(cè)試方法，其特征在于：

步驟2)中，過(guò)掃描像素輸出單元中收集的信號(hào)電荷通過(guò)圖像輸出直觀地呈現(xiàn)。