[發明專利]一種太陽能電池的制備方法及由該方法制備的太陽能電池在審
| 申請號: | 201610065201.9 | 申請日: | 2016-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN105552170A | 公開(公告)日: | 2016-05-04 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 佛山市聚成生化技術研發有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0288 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電池的制備方法,具體地說,涉及一種太陽能電 池的制備方法及由該方法制備的太陽能電池。
背景技術
隨著新世紀的到來,全球經濟呈飛速發展的勢態,人類對能源的需 求量持續增加,化石燃料的大量使用,導致了能源迅速短缺、環境污染 日益加劇,全球面臨著一個嚴峻的事實:能源問題己成為經濟發展的熱 點和難點。目前,傳統能源短缺和環境污染成為了制約經濟發展的主 要問題,尋找無污染的能源變得越來越迫切。太陽能是氫核聚變反應 產生的一種能量,且能量相當巨大,每秒鐘照射在地球上的能量可相 當于燃燒500萬噸標準煤所產生的熱量,而且,預計太陽的輻射輸出 的能量在100億年內可近似保持恒定,可以說是無限的能源,因此, 太陽能作為一種潔凈的可再生能源,受到了越來越多的重視。預測顯 示,太陽能在整個能源結構中所占據的比例會在2050年上升至20%, 在2100年上升至70%。由此可見,能源結構在21世紀會有重大改變, 太陽能也會成為主要能源。
太陽能的利用方式有多種,它可轉化為化學能、熱能和電能等等, 其中太陽能轉化為電能也稱為太陽能光電轉化,也即是光伏發電技 術。太陽能電池即是將太陽能轉化為電能的器件。太陽能電池是利用 半導體材料的光生伏特效應制成的,太陽能電池材料主要有:半導體 材料,化合物材料,納米材料等。從半導體材料使用的形態來看,有 晶片、薄膜、外延片。太陽能電池按其材料形態分可以分成塊狀太陽 能電池和薄膜太陽能電池二大類。
自從法國科學家貝克勒爾于1839年發現了液體的光生伏特效應, 太陽能電池的發展歷史已有了170多年。1954年,美國貝爾實驗室研 制出第一塊實用型單晶硅太陽能電池,雖然效率僅有6%,但從此拉開 了太陽能電池研究與開發的序幕。經過多年來的研究與發展,太陽能 電池以其無可比擬的先天優勢,越來越受到全球的重視。上世紀80年 代起,我國就開始開發并生產太陽能電池,國家也在大力推廣獨立光伏 系統在西部無電地區的應用,并實施了鄉鄉通和光明工程等工程,對發 展我國光伏產業、提高我們光伏技術水平都起到了很好的推動作用。 近年來,我國也將太陽能電池的發展放在973和863等重大項目中的 重要位置,在“十五”科技攻關計劃中,對光伏項目也作了重大的安排。 自2003年起,我國太陽能電池產業增長加快,生產太陽能電池片、太陽 能電池組件的企業如雨后春筍般出現在神州大地,我國的太陽能電池 工業進入了一個快速發展的階段。
中國專利CN101414643公開了一種太陽能電池裝置,該裝置包 括一個第一太陽能電池板、一個第二太陽能電池板以及至少一個導光 組件。第一太陽能電池板包括一個受光面、一個與受光面相對的背面、 以及至少一個貫穿受光面與背面的通孔;第二太陽能電池板設置在第 一太陽能電池板的背面一側且與第一太陽能電池板間隔一定距離;所 述至少一個導光組件分別貫穿與其對應的通孔,其分別包括一個光發 散單元及一導光體,光發散單元用以接收從第一太陽能電池板的受光 面一側入射至其上的太陽光,導光體用以將光發散單元接收的太陽光 傳導至第二太陽能電池板。該太陽能電池裝置將多個太陽能電池板層 疊設置并且經由導光組件可傳導太陽光至下一層太陽能電池板上進 行光電轉換,從而可節約鋪設面積。
中國專利CN102117815A公開了一種太陽能電池組件及其制備 方法,該太陽能電池組件包括多個太陽能電池,每個太陽能電池包括 依次疊設的透明導電膜、太陽能電池層和金屬背電極,相鄰的太陽能 電池通過激光劃刻工藝相互串聯,其中,還包括:至少一條第四道激 光劃線,第四道激光劃線貫通金屬背電極、太陽能電池層和透明導電 膜,斷開相鄰的太陽能電池,形成至少兩個獨立的電池單元,電池單 元由串聯的太陽能電池構成。本發明通過第四道激光劃線,將太陽能 電池組件分割成多個獨立的電池單元,使每個電池單元包括規定數量 的串聯的太陽能電池,從而能獲得所需要的工作電壓以及電流。
現有太陽能電池的光電轉化效率低,僅為12%左右,而光電轉化 率低一直是限制太陽能電池發展的瓶頸。
發明內容
為了解決現有技術存在的上述問題,本發明提供了一種太陽能電 池的制備方法及由該方法制備的太陽能電池,本發明的方法制備的太 陽能電池光電轉化率高。
本發明所采用的技術方案為:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





