[發明專利]像素結構及其制作方法、陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201610064421.X
• 申請日: 2016-01-29
• 公開（公告）號: CN105487311A
• 公開（公告）日: 2016-04-13
• 發明（設計）人: 楊海剛;樸正淏;李哲;胡競勇
• 申請（專利權）人: 重慶京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種像素結構及其制作方法、 陣列基板及顯示裝置。

背景技術

液晶顯示裝置是目前使用最廣泛的一種平板顯示裝置，可為各種 電子設備如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機以及計算機等提 供具有高分辨率彩色屏幕。其中FFS(FringeFieldSwitching，邊緣場開 關技術)液晶顯示裝置以其觀看視角廣以及開口率高等特點受到廣大用 戶的喜愛。目前普遍采用的FFS液晶顯示裝置，通常包括彩膜基板、陣 列基板以及設置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。其中在陣列基 板上設置有多條數據線、柵線以及由多條數據線柵線交叉限定的多個 像素結構。

如圖1所示，傳統FFS顯示技術的像素結構包括襯底基板3＇，在襯 底基板3＇上設置有薄膜晶體管4＇、第一透明電極層1＇、第二透明電 極層2＇。其中，第一透明電極層1＇為面狀結構電極，第二透明電極 層2＇包括若干個條狀電極，第一透明電極層1＇與第二透明電極層2＇ 之間存在重疊區域。具體的排布結構如圖2所示。由圖1以及圖2可以看 出傳統的像素結構第一透明電極層1＇與第二透明電極層2＇的重疊區 域較大，因此第一透明電極層1＇與第二透明電極層2＇之間形成的存 儲電容(Cst)較大。較大的存儲電容延長了像素的充電時間，使像素單 元易出現充電不足的現象，導致顯示面板亮度下降，嚴重影響了顯示 質量。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：解決如何降低現有的像素結構中第 一透明電極層以及第二透明電極層之間的存儲電容的問題。

為實現上述的發明目的，本發明提供了一種像素結構及其制作方 法、陣列基板及顯示裝置。

依據本發明的第一方面，提供了一種像素結構：包括襯底基板以 及設置在所述襯底基板上的第一透明電極層和第二透明電極層，所述 第二透明電極層包括多個條狀電極，其特征在于，所述第一透明電極 層包括至少一個狹縫，且每一個所述狹縫至少部分位于所述條狀電極 在所述襯底基板的投影內。

優選地，每一個所述狹縫全部位于所述條狀電極在所述襯底基板 的投影內。

優選地，對于每一個所述狹縫，其寬度與其相對的條狀電極的寬 度之比為10％～100％。

優選地，所述第一透明電極層中所述狹縫的數量與所述第二透明 電極層中所述條狀電極的數量之比為1:50～1:2。

依據本發明的第二方面，提供了一種陣列基板，包括上述所述的 像素結構。

依據本發明的第三方面，提供了一種顯示裝置，包括上述所述的 陣列基板。

依據本發明的第四方面，提供了一種像素結構的制作方法，包括：

在襯底基板上形成第一透明電極層和第二透明電極層，其中，所 述第二透明電極層包括多個條狀電極，所述第一透明電極層包括至少 一個狹縫，且每一個所述狹縫至少部分位于所述條狀電極在所述襯底 基板的投影內。

優選地，每一個所述狹縫全部位于所述條狀電極在所述襯底基板 的投影內。

優選地，對于每一個所述狹縫，其寬度與其相對的條狀電極的寬 度之比為10％～100％。

優選地，所述第一透明電極層中所述狹縫的數量與所述第二透明 電極層中所述條狀電極的數量之比為1:50～1:2。

本發明提供的該像素結構，通過在第一透明電極層上形成狹縫， 并使狹縫至少部分位于條形電極在襯底基板上的投影內，有效減小了 第一透明電極層與第二透明電極層的重疊區域，從而降低了其間形成 的存儲電容，提高像素的充電效率以及顯示裝置的顯示質量。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處 對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施 方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用 相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1是現有技術的像素結構截面示意圖；

圖2是現有技術的像素結構俯視圖；

圖3是本發明提供的像素結構截面示意圖；

圖4是本發明提供的一種像素結構俯視圖；

圖5是本發明提供的另一種像素結構俯視圖；

圖6是本發明提供的不同狹縫設置比率對應的電壓-透過率曲線示 意圖；