[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和液晶面板

有效

• 申請號: 201610058366.3
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN105529336B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: 周志超
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明公開了一種薄膜晶體管陣列基板及其制備方法和液晶面板。所述薄膜晶體管陣列基板包括具有一透明基板，還包括：柵極、柵極絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋層、源極電極與漏極電極，以及，像素電極。本發明的薄膜晶體管陣列基板通過采用MoTi電極取代傳統結構中的ITO電極，使得本發明的所述薄膜晶體管陣列基板的制造工藝中可以同時省掉PV層，減少一道光罩，以降低制造成本，擴大IGZO結構的應用。

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管及其制造方法，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和液晶面板。

背景技術

液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器，已經逐漸成為各種電子設備如移動電話、個人數字助理(PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。隨著液晶顯示器技術的發展進步，人們對液晶顯示器的顯示品質，外觀設計等提出了更高的要求。

液晶面板是液晶顯示器最主要的組成配件，其包括真空貼合的薄膜晶體管(TFT)陣列基板、彩色濾光片(CF)基板、設置在兩者之間的液晶層及配向膜。

隨著目前顯示行業中大尺寸化，對于高解析度的需求越來越強烈，因此，對有源層半導體器件充放電提出了更高的要求。銦鎵鋅氧化物(IGZO)材料因具有的高遷移率、高開態電流、低關態電流、可迅速開關等特點，因此，能夠有效滿足高充放電的要求。

盡管在目前常用的IGZO結構中，蝕刻阻擋(Etching Stop)結構器件因有保護層的存在，使得其電性的穩定性往往較其他結構更好。但是，由于增加了一道光罩，因此，該種結構的制備成本高，限制了IGZO的應用。

因此，需要提供一種新的薄膜晶體管陣列基板及應用該薄膜晶體管陣列基板的液晶面板，以解決上述問題。

發明內容

本發明的第一個目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板，具有一透明基板。所述薄膜晶體管陣列基板還包括：柵極，所述柵極設于所述透明基板上；柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設于所述透明基板上，并且覆蓋所述柵極；半導體層，所述半導體層設于所述柵極絕緣層上，并且對應所述透明基板上的柵極電極；蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述半導體層，并且，所述蝕刻阻擋層上形成數個接觸孔；源極電極與漏極電極，所述源極電極與漏極電極設于所述蝕刻阻擋層上，并通過所述接觸孔分別與所述半導體層連接；以及，像素電極，所述像素電極設于所述源極電極及漏極電極上。

在本發明一實施例中，所述半導體層由銦鎵鋅氧化物(IGZO)制成。

在本發明一實施例中，所述像素電極由鉬合金制成。優選地，所述鉬合金由鉬(Mo)與選自鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、銦(In)、以及鋁(Al)中的一種形成合金。更優選地，所述鉬合金為鉬鈦合金(MoTi)。

本發明還提供上述薄膜晶體管陣列基板的制造方法。所述方法包括：步驟S10、提供一透明基板，在所述透明基板上沉積第一金屬層，圖案化后形成一柵極圖案；步驟S20、在所述柵極圖案及透明基板上沉積一柵極絕緣層；步驟S30、在所述柵極絕緣層上沉積一半導體層，圖案化后形成一半導體層圖案，所述半導體層圖案對應于所述柵極圖案；步驟S40、在所述半導體層圖案及所述柵極絕緣層上沉積一蝕刻阻擋層，在所述蝕刻阻擋層對應所述半導體層的區域形成至少兩個間隔設置的接觸孔，用以暴露所述半導體層；步驟S50、在所述蝕刻阻擋層上沉積第二金屬層，圖案化后形成一源極電極和一漏極電極，所述源極電極及所述漏極電極分別通過所述接觸孔與所述半導體層連接；以及，步驟S60、在所述源極電極及漏極電極上沉積像素電極圖案。

本發明還提供一種液晶面板，包括：相對設置的第一基板、第二基板和填充于所述第一基板及第二基板之間的液晶組合物和配向膜，其中，所述第一基板為上述薄膜晶體管陣列基板，所述第二基板為彩色濾光片基板。