[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法和液晶面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610058366.3
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN105529336B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志超
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管陣列基板，具有一透明基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括：

柵極，所述柵極設(shè)于所述透明基板上；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)于所述透明基板上，并且覆蓋所述柵極；

半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)于所述柵極絕緣層上，并且對應(yīng)所述透明基板上的柵極電極；蝕刻阻擋層，所述蝕刻阻擋層設(shè)于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述半導(dǎo)體層，并且，所述蝕刻阻擋層上形成數(shù)個接觸孔；

源極電極與漏極電極，所述源極電極與漏極電極設(shè)于所述蝕刻阻擋層上，并通過所述接觸孔分別與所述半導(dǎo)體層連接；以及，

像素電極，所述像素電極設(shè)于所述源極電極及漏極電極上；其中，

所述半導(dǎo)體層由銦鎵鋅氧化物制成；所述像素電極由鉬合金制成。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鉬合金由鉬與由鈦、鉭、鉻、鎳、銦、以及鋁組成的組中的一種形成。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鉬合金為鉬鈦合金。

4.一種如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步驟S10、提供一透明基板，在所述透明基板上沉積第一金屬層，圖案化后形成一柵極圖案；

步驟S20、在所述柵極圖案及透明基板上沉積一柵極絕緣層；

步驟S30、在所述柵極絕緣層上沉積一半導(dǎo)體層，圖案化后形成一半導(dǎo)體層圖案，所述半導(dǎo)體層圖案對應(yīng)于所述柵極圖案；

步驟S40、在所述半導(dǎo)體層圖案及所述柵極絕緣層上沉積一蝕刻阻擋層，在所述蝕刻阻擋層對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的區(qū)域形成至少兩個間隔設(shè)置的接觸孔，用以暴露所述半導(dǎo)體層；

步驟S50、在所述蝕刻阻擋層上沉積第二金屬層，圖案化后形成一源極電極和一漏極電極，所述源極電極及所述漏極電極分別通過所述接觸孔與所述半導(dǎo)體層連接；以及，

步驟S60、在所述源極電極及漏極電極上沉積像素電極圖案；其中，

所述半導(dǎo)體層由銦鎵鋅氧化物制成，所述像素電極由鉬合金制成。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述鉬合金為鉬鈦合金。

6.一種液晶面板，包括：相對設(shè)置的第一基板、第二基板和填充于所述第一基板及第二基板之間的液晶組合物和配向膜，其特征在于，所述第一基板為如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，所述第二基板為彩色濾光片基板。