[發(fā)明專利]一種可制造性設(shè)計仿真器設(shè)計方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610052912.2
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105426648B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐勤志;陳嵐
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 周放;江懷勤

1.一種可制造性設(shè)計仿真器設(shè)計方法，其特征在于，包括：

接收集成電路設(shè)計版圖，并將集成電路設(shè)計版圖劃分仿真網(wǎng)格；

根據(jù)所述集成電路設(shè)計版圖及化學(xué)機械平坦化工藝數(shù)據(jù)計算各仿真網(wǎng)格的接觸壓力；

根據(jù)各仿真網(wǎng)格的接觸壓力仿真執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌；

根據(jù)執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌優(yōu)化所述集成電路設(shè)計版圖；

其中，所述根據(jù)所述集成電路設(shè)計版圖及化學(xué)機械平坦化工藝數(shù)據(jù)計算各仿真網(wǎng)格的接觸壓力包括：

以所述仿真網(wǎng)格為單元提取所述集成電路設(shè)計版圖的版圖特征；

根據(jù)所述版圖特征及淀積工藝數(shù)據(jù)獲取淀積工藝后各仿真網(wǎng)格的版圖特征；

根據(jù)所述淀積工藝后各仿真網(wǎng)格的版圖特征及所述化學(xué)機械平坦化工藝數(shù)據(jù)計算各仿真網(wǎng)格受到的接觸壓力；

計算各仿真網(wǎng)格受到的接觸壓力包括：

利用公式：

計算各仿真網(wǎng)格受到的全局接觸壓力，其中，υ是泊松比，E是彈性模量，S(x)表示芯片表面形貌，a₀為力平衡常數(shù)，F(xiàn)₀(t)是t時刻的外加載荷，即芯片攜載器對芯片表面的壓力，L為接觸區(qū)域，x為網(wǎng)格位置，p(x,t)為接觸壓力分布，ω為積分變量；

基于仿真網(wǎng)格內(nèi)提取的特征參數(shù)及全局接觸壓力，建立帶圖形特征的局部接觸壓力，局部接觸壓力包括：等效線寬區(qū)域的接觸壓力p_W(x,t)及等效間距區(qū)域的接觸壓力p_S(x,t)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述版圖特征包括以下任意一種或多種：仿真網(wǎng)格等效密度、仿真網(wǎng)格特征線寬、仿真網(wǎng)格特征間距。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)各仿真網(wǎng)格的接觸壓力仿真執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌包括：

根據(jù)各仿真網(wǎng)格受到的局部接觸壓力計算各仿真網(wǎng)格的研磨去除率；

根據(jù)各仿真網(wǎng)格的研磨去除率更新各仿真網(wǎng)格的形貌。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌優(yōu)化所述集成電路設(shè)計版圖包括：

根據(jù)所述各仿真網(wǎng)格的形貌對所述集成電路設(shè)計版圖進行熱點檢查，獲取不能滿足可制造性設(shè)計的熱點或?qū)︺~互連線進行時序預(yù)測，及早發(fā)現(xiàn)時序設(shè)計違規(guī)；

對所述熱點或時序設(shè)計違規(guī)進行版圖修復(fù)。

5.一種可制造性設(shè)計仿真器設(shè)計系統(tǒng)，其特征在于，包括：

接收模塊，用于接收集成電路設(shè)計版圖；

網(wǎng)格劃分模塊，用于將集成電路設(shè)計版圖劃分仿真網(wǎng)格；

計算模塊，用于根據(jù)所述集成電路設(shè)計版圖及化學(xué)機械平坦化工藝數(shù)據(jù)計算各仿真網(wǎng)格的接觸壓力；

仿真模塊，用于根據(jù)各仿真網(wǎng)格的接觸壓力仿真執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌；

優(yōu)化模塊，用于根據(jù)執(zhí)行化學(xué)機械平坦化工藝后各仿真網(wǎng)格的形貌優(yōu)化所述集成電路設(shè)計版圖；

其中，所述計算模塊包括：

提取單元，用于以所述仿真網(wǎng)格為單元提取所述集成電路設(shè)計版圖的版圖特征；

獲取單元，用于根據(jù)所述版圖特征及淀積工藝數(shù)據(jù)獲取淀積工藝后各仿真網(wǎng)格的版圖特征；

計算單元，用于根據(jù)所述淀積工藝后各仿真網(wǎng)格的版圖特征及所述化學(xué)機械平坦化工藝數(shù)據(jù)計算各仿真網(wǎng)格受到的接觸壓力；

計算各仿真網(wǎng)格受到的接觸壓力包括：

利用公式：

計算各仿真網(wǎng)格受到的全局接觸壓力，其中，υ是泊松比，E是彈性模量，S(x)表示芯片表面形貌，a₀為力平衡常數(shù)，F(xiàn)₀(t)是t時刻的外加載荷，即芯片攜載器對芯片表面的壓力，L為接觸區(qū)域，x為網(wǎng)格位置，p(x,t)為接觸壓力分布，ω為積分變量；

基于仿真網(wǎng)格內(nèi)提取的特征參數(shù)及全局接觸壓力，建立帶圖形特征的局部接觸壓力，局部接觸壓力包括：等效線寬區(qū)域的接觸壓力p_W(x,t)及等效間距區(qū)域的接觸壓力p_S(x,t)。