[發明專利]像素電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201610051753.4
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN105654906B
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 郝學光;程鴻飛;馬占潔;喬勇;吳新銀
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李燁;李崢

本發明的實施例提供像素電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示裝置。像素電路包括復位模塊、數據寫入模塊、存儲模塊、補償和保持模塊、驅動模塊以及發光器件。復位模塊與存儲模塊以及發光器件連接，被配置為復位存儲模塊以及發光器件。數據寫入模塊與驅動模塊連接，被配置為用于提供數據電流。補償和保持模塊與驅動模塊以及存儲模塊連接，被配置為產生用于驅動模塊的控制電壓，其中控制電壓是基于數據電流的函數。存儲模塊與驅動模塊連接，被配置為存儲控制電壓。驅動模塊與發光器件連接，被配置為根據控制電壓產生驅動電流。發光器件被配置為由驅動電流驅動而發光。像素電路可以在不增加發光器件功耗的情況下，提高發光效率。

技術領域

本發明涉及顯示技術，尤其涉及像素電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

目前典型的量子點發光二極管(QLED)結構包括電子傳輸層、空穴傳輸層以及量子點發光層。空穴傳輸層以及電子傳輸層可以由有機小分子、有機聚合物或者無機金屬氧化物構成。空穴傳輸層與電子傳輸層的設置能夠使量子點發光二極管的發光效率從最初的低于0.1％提升到約10％，但是空穴傳輸層與量子點發光層之間最高占據分子軌道(HighestOccupied Molecular Orbital，HOMO)能級的不匹配使得量子點電荷注入效率仍然普遍偏低，并且量子點注入電荷不平衡，量子點呈現非電中性。與傳統的有機電致發光二極管(OLED)比較，量子點電致發光二極管(QLED)的電荷注入不平衡的缺點，限制了其發光壽命和效率。

現有技術中，主要采用以下三種方式對于該問題進行改善。第一種方式是提高空穴傳輸層的HOMO能級以與量子點發光材料的HOMO能級盡可能匹配。第二種方式是通過設置空穴增強層來增加空穴的遷移率與注入效率。第三種方式是通過設置電子阻擋層來減緩電子的注入速率，提升電子與空穴的復合效率。在第一種方式中，難以合成或找到構成該空穴傳輸層所需的材料。在第二種方式中，需要設置多層空穴傳輸層，增加了工藝制作的難度。在第三種方式中，并不能增加被激發的光子，因此難以提升發光效率。

發明內容

本發明的實施例提供了像素電路及其驅動方法、顯示面板以及顯示裝置，用于提高發光器件的發光效率。

根據本發明的第一個方面，提供了一種像素電路，包括：復位模塊、數據寫入模塊、存儲模塊、補償和保持模塊、驅動模塊以及發光器件。復位模塊與存儲模塊以及發光器件連接。數據寫入模塊與驅動模塊連接。補償和保持模塊與驅動模塊以及存儲模塊連接。存儲模塊與驅動模塊連接，被配置為存儲控制電壓。驅動模塊與發光器件連接。

在本發明的實施例中，復位模塊被配置為復位存儲模塊以及發光器件。數據寫入模塊被配置為用于提供數據電流。補償和保持模塊被配置為產生用于驅動模塊的控制電壓，其中控制電壓是基于數據電流的函數。并且，補償和保持模塊還被配置為用于保持控制電壓。存儲模塊被配置為存儲控制電壓。驅動模塊被配置為根據控制電壓產生驅動電流。發光器件被配置為由驅動電流驅動而發光。

在本發明的實施例中，補償和保持模塊包括第三晶體管，第三晶體管的控制極與第二電壓線連接，第一極與第一電壓線連接，第二極與驅動模塊以及存儲模塊連接。

在本發明的實施例中，復位模塊包括第四晶體管，第四晶體管的控制極與第二電壓線連接，第一極與存儲模塊以及發光器件連接，第二極與第三電壓線連接。

在本發明的實施例中，驅動模塊包括第二晶體管，第二晶體管的第一極與第一電壓線連接，并且存儲模塊被連接在第二晶體管的控制極和第二極之間。

在本發明的實施例中，數據寫入模塊包括第一晶體管，第一晶體管的控制極與第二電壓線連接，第一極與驅動模塊連接，第二極與數據電流線連接。

在本發明的實施例中，存儲模塊包括電容，并且，驅動模塊被連接在電容的第一端和第二端之間。

在本發明的實施例中，晶體管是N型MOS管。