[發明專利]基板濕式處理裝置及包括其的單晶圓蝕刻清洗裝置

有效

• 申請號: 201610051632.X
• 申請日: 2016-01-26
• 公開（公告）號: CN106997858B
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 吳宗恩;王良元
• 申請（專利權）人: 弘塑科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 31218 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 翟羽

本發明提供一種基板濕式處理裝置及包括其的單晶圓蝕刻清洗裝置，其包括一旋轉夾頭、一傳動主軸、一背洗座及至少一密封件。所述旋轉夾頭用于固持并旋轉一基板。所述傳動主軸連設于所述旋轉夾頭，用于驅動所述旋轉夾頭。所述背洗座設置于所述旋轉夾頭及所述傳動主軸周圍，所述背洗座設有一液體噴嘴，用于提供液體以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多個組件，其中兩相鄰組件之間具有一間隙。所述至少一密封件設置于每一間隙中，用于隔絕液體及氣體的泄漏。

【技術領域】

本發明是關于一種基板處理裝置，尤指一種基板濕式處理裝置及包括其的單晶圓蝕刻清洗裝置。

【背景技術】

在半導體晶圓、顯示器基板、太陽能基板、LED基板等的工藝中，都需要對基板進行多道處理步驟，例如對晶圓的表面噴灑處理液(例如化學品或去離子水等)，以進行晶圓的蝕刻、清洗等濕式處理程序。請參照圖1，圖1為現有的旋轉蝕刻清洗機臺的剖面示意圖。現有的旋轉蝕刻清洗機臺10包括一蝕刻腔體12，蝕刻腔體12中設有一載臺14用以承載及固定一晶圓W，載臺14下方的轉軸16可依各種工藝參數的設定需求，進行高低速旋轉，進而帶動晶圓W旋轉，蝕刻液19則由晶圓W上方的液體供給單元18流下，以對晶圓W的正面進行蝕刻。

實際上，蝕刻腔體12內位于載臺14下方還具有許多機構，如馬達，清洗晶圓底部的流體噴嘴(圖未示)等等，而一般在進行蝕刻時，蝕刻液19常使用酸性液體，如硝酸(HNO₃)和氫氟酸(HF)等，而這些蝕刻液19在反應的過程中會產生酸氣，酸氣會隨經HEPA(高效率空氣過濾網)過濾后的氣流沈降導入下方機構區，而侵蝕上述機構。另外，流體噴嘴的組件表面殘存酸液時，也會因毛細現像，而循著組件的間隙流入機構區，進而侵蝕上述機構。

【發明內容】

有鑒于此，為了防止蝕刻液或其形成的酸氣侵蝕腔體下方的機構，本發明的目的在于提供一種基板濕式處理裝置，其透過密封件隔絕背洗座的可能的間隙，以隔離蝕刻液或腐蝕性氣體對機構區的侵蝕。

本發明的另一目的在于提供一種單晶圓蝕刻清洗裝置，其采用上述基板濕式處理裝置，以隔離蝕刻液或腐蝕性氣體對機構區的侵蝕。

為達成上述目的，本發明提供的基板濕式處理裝置包括旋轉夾頭、傳動主軸、背洗座及至少一密封件。所述旋轉夾頭用于固持并旋轉基板。所述傳動主軸連設于所述旋轉夾頭，用于驅動所述旋轉夾頭。所述背洗座設置于所述旋轉夾頭及所述傳動主軸周圍，所述背洗座設有一液體噴嘴，用于提供液體以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多個組件，其中兩相鄰組件之間具有一間隙。所述至少一密封件設置于每一間隙中，用于隔絕液體及氣體的泄漏。

在一優選實施例中，所述間隙為環狀，每一密封件為O形環。

在一優選實施例中，所述基板濕式處理裝置還包括機構區，所述機構區定義于所述傳動主軸及的所述背洗座之下方，其中所述至少一密封件用于防止液體及氣體進入所述機構區。

在一優選實施例中，所述多個組件包括主體、上壓環以及下壓環。所述主體環設于傳動主軸周圍并位于旋轉夾頭下方。所述上壓環環設于所述主體周圍，并與所述基板的所述底面相距一預定距離，其中所述上壓環與所述主體之間具有一第一間隙。所述下壓環環設于所述主體周圍，并設置于所述上壓環下方，其中所述下壓環與所述主體之間具有一第二間隙。

在此優選實施例中，所述主體于所述第一間隙處具有第一環溝，于所述第二間隙處具有第二環溝，所述至少一密封件包括第一O形環及第二O形環，所述第一O形環及所述第二O形環分別設置于所述第一環溝及所述第二環溝中。

在此優選實施例中，所述多個組件還包括軸封件，環設于傳動主軸周圍并位于所述主體下方，所述軸封件與所述主體之間具有一第三間隙。此外，所述主體于所述第三間隙處具有第三環溝，所述至少一密封件還包括第三O形環，所述第三O形環設置于所述第三環溝中。