[發明專利]基板濕式處理裝置及包括其的單晶圓蝕刻清洗裝置有效
| 申請號: | 201610051632.X | 申請日: | 2016-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN106997858B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | 吳宗恩;王良元 | 申請(專利權)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 31218 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基板濕式 處理 裝置 包括 單晶圓 蝕刻 清洗 | ||
1.一種基板濕式處理裝置,其特征在于,包括:
旋轉夾頭,用于固持并旋轉基板;
傳動主軸,連設于所述旋轉夾頭,用于驅動所述旋轉夾頭;
背洗座,設置于所述旋轉夾頭及所述傳動主軸周圍,所述背洗座設有液體噴嘴,用于提供液體以清洗所述基板的底面,所述背洗座包括多個組件,其中兩相鄰組件之間具有一間隙;所述多個組件包括:
主體,環設于傳動主軸周圍并位于旋轉夾頭下方;
上壓環,環設于所述主體周圍,并與所述基板的所述底面相距一預定距離,其中所述上壓環與所述主體之間具有一第一間隙;以及
下壓環,環設于所述主體周圍,并設置于所述上壓環下方,其中所述下壓環與所述主體之間具有一第二間隙;
所述主體于所述第一間隙處具有第一環溝,于所述第二間隙處具有第二環溝;
機構區,所述機構區定義于所述傳動主軸及的所述背洗座之下方;以及
至少一密封件,設置于每一間隙中,用于隔絕液體及氣體的泄漏,所述至少一密封件包括第一O形環及第二O形環,所述第一O形環及所述第二O形環分別設置于所述第一環溝及所述第二環溝中。
2.根據權利要求1所述的基板濕式處理裝置,其特征在于,所述間隙為環狀,每一密封件為O形環。
3.根據權利要求1所述的基板濕式處理裝置,其特征在于,所述至少一密封件用于防止液體及氣體進入所述機構區。
4.根據權利要求3所述的基板濕式處理裝置,其特征在于,所述多個組件還包括軸封件,環設于傳動主軸周圍并位于所述主體下方,所述軸封件與所述主體之間具有一第三間隙。
5.根據權利要求4所述的基板濕式處理裝置,其特征在于,所述主體于所述第三間隙處具有第三環溝,所述至少一密封件還包括第三O形環,所述第三O形環設置于所述第三環溝中。
6.根據權利要求4所述的基板濕式處理裝置,其特征在于,所述上壓環與所述下壓環之間形成環形氣體噴嘴,所述環形氣體噴嘴用于在所述基板的所述底面之間形成氣墻。
7.一種單晶圓蝕刻清洗裝置,其特征在于,包括如權利要求1-6任一項所述的基板濕式處理裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





