[發明專利]全背電極太陽電池超低表面濃度前表面場的形成方法有效
| 申請號： | 201610050192.6 | 申請日： | 2016-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN105514219B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 李中蘭 | 申請（專利權）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律師事務所33233 | 代理人： | 郭小麗 |
| 地址： | 213031 江蘇省常*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 太陽電池 表面 濃度 形成 方法 | ||
1.一種全背電極太陽電池超低表面濃度前表面場的形成方法，其特征在于，包括一步空管運行飽和步驟及緊接一步空管運行飽和步驟之后的氧化步驟；
所述一步空管運行飽和步驟包括：在800℃-810℃于氮氣和氧氣氣氛中空舟進舟，再在800℃-950℃于氧氣、氮氣以及攜帶磷源的氮氣氣氛中進行磷源沉積，然后在氮氣氣氛中于800℃-810℃出舟；
所述氧化步驟包括：在800℃-810℃于氮氣和氧氣氣氛中裝硅片進舟，再在800℃-950℃于氧氣和氮氣氣氛中進行殘余磷源擴散和氧化，然后在氮氣氣氛中于800℃-810℃出舟；
所述超低表面濃度的前表面場表面濃度在3E17cm-3到1E18cm-3。
2.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管運行飽和步驟中磷源沉積過程，其中攜帶磷源的氮氣流量為200sccm-1000sccm，氧氣流量為100sccm-500sccm。
3.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管運行飽和步驟中磷源沉積的時間為10min-30min。
4.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述一步空管運行飽和步驟中空舟進舟過程，氣氛為大氮氣加小氧氣。
5.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化步驟中殘余磷源擴散和氧化的時間為10min-50min。
6.根據權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述氧化步驟中裝硅片進舟過程，氣氛為大氮氣加小氧氣。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
