[發明專利]半導體結構、其形成方法及測試方法

在審

• 申請號: 201610044781.3
• 申請日: 2016-01-22
• 公開（公告）號: CN106997900A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 陳彧
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種半導體結構，包括：

前端芯片；

位于所述前端芯片背面的金屬層；以及

位于所述金屬層上的保護層，所述保護層防止所述金屬層被污染。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層為碳層。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述碳層的厚度為180-230nm。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬層包括依次層疊于所述前端芯片背面的鈦層、鎳層和銀層。

5.一種半導體結構的形成方法，包括：

提供前端芯片；

在所述前端芯片背面形成金屬層；

在所述金屬層上形成保護層，以防止所述金屬層被污染。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述保護層為碳層，利用CVD工藝形成。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述碳層的厚度為180-230nm。

8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述碳層的源氣包括烴化合物和惰性氣體。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述CVD工藝條件為：所述烴化合物的流量為500-1200sccm，射頻功率大于等于800W。

10.一種半導體結構的測試方法，包括：

提供如權利要求1-4中任意一項所述的半導體結構；

去除所述保護層；

對去除保護層之后的半導體結構進行測試。

11.如權利要求10所述的半導體結構的測試方法，其特征在于，采用有機溶劑去除所述保護層。

12.如權利要求11所述的半導體結構的測試方法，其特征在于，所述有機 溶劑包括丙酮。

13.如權利要求10所述的半導體結構的測試方法，其特征在于，采用等離子體處理去除所述保護層。

14.如權利要求13所述的半導體結構的測試方法，其特征在于，采用氫等離子體在大于等于400℃的環境下去除所述保護層。