[發明專利]一種高透光自清潔聚碳酸酯片材的制備方法有效
| 申請號： | 201610044221.8 | 申請日： | 2016-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN105542212B | 公開（公告）日： | 2018-09-14 |
| 發明（設計）人： | 杜軍;戴洪湖;汪連生;王鋒;丁瑜;郭連貴;覃彩芹 | 申請（專利權）人： | 湖北工程學院 |
| 主分類號： | C08J7/04 | 分類號： | C08J7/04;C08L69/00;C09D169/00;C09D5/16 |
| 代理公司： | 武漢宇晨專利事務所 42001 | 代理人： | 余曉雪 |
| 地址： | 432000 *** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 透光 清潔 聚碳酸酯 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高透光自清潔聚碳酸酯片材的制備方法，其特征在于：所述高透光自清潔聚碳酸酯片材是由聚碳酸酯基材及涂覆在聚碳酸酯基材上的自清潔膜制成，其中聚碳酸酯基材是厚度為0.5-2cm的聚碳酸酯片材；
所述自清潔膜是由聚碳酸酯和疏水納米二氧化硅制備而成，所述聚碳酸酯的分子量是0.8萬-2萬，所述疏水納米二氧化硅的粒徑是20 nm - 40 nm；
所述自清潔膜的制備方法，其步驟如下：
將質量比是2：1-5：1的聚碳酸酯和疏水納米二氧化硅加入到四氫呋喃中；所述四氫呋喃與聚碳酸酯的質量比為1：2；
超聲或攪拌分散30分鐘，形成混合溶液，將混合溶液以50cm/min-200cm/min的涂覆速度涂覆在聚碳酸酯基材上，最后經真空烘干，即在聚碳酸酯基材上形成自清潔膜；
所述的疏水納米二氧化硅由質量比是3：1的親水性氣相二氧化硅與六甲基二硅胺烷經烷基化反應制得。
2.根據權利要求1所述的一種高透光自清潔聚碳酸酯片材的制備方法，其特征在于：所述自清潔膜表面呈微米-納米結構。
3.根據權利要求2所述的一種高透光自清潔聚碳酸酯片材的制備方法，其特征在于：
所述高透光自清潔聚碳酸酯片材的表面具有厚度范圍為5um-20um的凹凸薄層微米結構；
所述高透光自清潔聚碳酸酯片材的表面具有厚度范圍為50nm-100nm的納米結構。
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