[發(fā)明專利]一種基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610040962.9 | 申請日： | 2016-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN105506682A | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王文韜;廖景文;馬海翔;畢曉峰;王慰 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州中國科學(xué)院先進技術(shù)研究所 |
| 主分類號： | C25D3/38 | 分類號： | C25D3/38;C25D5/54 |
| 代理公司： | 廣州番禺容大專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 劉新年 |
| 地址： | 511458 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 電化學(xué) 沉積 納米 銅線 制備 方法 | ||
1.一種基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征在于，包括：
步驟1將銅鹽溶解于水中制成溶液，并添加稀酸將溶液pH值調(diào)至2-5；
步驟2將單面鍍有金屬的多孔高分子或樹脂置于經(jīng)步驟1得到的溶液中作 為陰極，純銅片或純銅絲作為陽極，陰陽兩極連接一個電壓可控的電源，形成 電位差，并進行電沉積過程；
步驟3將經(jīng)步驟2沉積完畢的多孔高分子或者樹脂材料取出，采用溶劑溶 解掉其中的高分子或者樹脂便獲得直徑均勻的納米銅線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，步驟1中所述的銅鹽為氯化銅、硫酸銅、硝酸銅、檸檬酸銅、醋酸銅中 的至少一種，銅鹽的摩爾濃度為0.1-1mol/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，所述的稀酸為稀硫酸或稀鹽酸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，步驟2中所述的多孔高分子或者樹脂為聚碳酸酯、聚苯氧樹脂、聚乙烯、 聚丙烯、聚酰亞胺、PET中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，步驟2中所述的沉積時間為1-10分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，步驟2中所述的電位差為-600毫伏～-200毫伏。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電化學(xué)沉積的納米銅線的制備方法，其特征 在于，步驟3中所述的溶劑為二氯甲烷、四氯甲烷、氯仿或者丙酮。
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