[發明專利]一種銅柱凸點的封裝方法及封裝結構

有效

• 申請號: 201610029829.3
• 申請日: 2016-01-15
• 公開（公告）號: CN105448755B
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 湯紅;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/52;C25D7/12;C25D9/04;C25D5/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種銅柱凸點的封裝方法，其特征在于，所述封裝方法包括：

1)提供一具有金屬焊盤的半導體襯底，所述半導體襯底表面覆蓋有絕緣層，刻蝕所述絕緣層暴露出所述金屬焊盤；

2)采用電鍍法于所述金屬焊盤表面形成氧化石墨烯層并在水合肼蒸汽下還原成還原氧化石墨烯層；

3)采用電鍍法于所述還原氧化石墨烯層表面形成銅柱；

4)采用電鍍法于所述銅柱表面形成金屬阻擋層；

5)采用電鍍法于所述金屬阻擋層表面形成焊料金屬，并采用高溫回流工藝于所述金屬阻擋層表面形成焊料凸點，其中，

步驟2)中，包括步驟：

2-1)采用旋涂工藝于待封裝結構表面旋涂光刻膠；

2-2)采用光刻工藝于欲制備銅柱凸點的位置打開窗口；

2-3)基于所述窗口，采用電鍍法于金屬焊盤表面形成所述氧化石墨烯層并在水合肼蒸汽下還原成所述還原氧化石墨烯層；

步驟3)中，基于所述光刻膠的窗口，采用電鍍法于所述還原氧化石墨烯層表面依次形成所述銅柱、所述金屬阻擋層以及所述焊料金屬。

2.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：所述絕緣層表面還形成有聚酰亞胺層。

3.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：所述金屬焊盤的材料包括Al或Cu。

4.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：所述金屬阻擋層的材料包括鎳。

5.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：所述還原氧化石墨烯層的上表面不超過所述絕緣層的上表面。

6.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：步驟4)中，所述焊料金屬電鍍完成后，還包括將所述光刻膠去除的步驟。

7.根據權利要求1所述的銅柱凸點的封裝方法，其特征在于：所述焊料金屬包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。