[發明專利]一種金屬修飾多孔硅粉的制備方法和應用

在審

• 申請號: 201610029266.8
• 申請日: 2016-01-18
• 公開（公告）號: CN105680008A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 岳之浩;周浪;湯昊;黃海賓
• 申請（專利權）人: 南昌大學
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種金屬修飾多孔硅粉的制備方法，其特征是包括如下步驟：

（1）采用5-40wt.%的HF溶液對硅粉原料進行清洗；

（2）采用一步或兩步金屬輔助化學腐蝕法對清洗后的硅粉原料進行刻蝕以獲得多孔硅 結構，輔助金屬顆粒不需去除，作為修飾金屬保留；

（3）采用去離子水對腐蝕后的多孔硅粉進行清洗并烘干處理；

步驟（2）中所述一步金屬輔助化學腐蝕法是指硅粉上沉積金屬顆粒和硅粉的刻蝕是在 同一個容器中同時進行的，所用溶液為HF、氧化劑和金屬鹽的混合溶液，其中金屬鹽為 AgNO₃或Cu(NO₃)₂，其濃度為0.01-10M，HF濃度為0.1-10M，氧化劑為H₂O₂或HNO₃，其濃度為 0.1-10M，反應溫度為0-90℃，反應時間為1-120min；

步驟（2）中所述兩步金屬輔助化學腐蝕法是指在硅粉上沉積輔助金屬顆粒和硅粉的刻 蝕步驟是分別進行的，首先在HF和金屬鹽的混合溶液采用無電沉積法在硅粉上沉積金屬納 米顆粒，其中金屬鹽為AgNO₃或Cu(NO₃)₂，其濃度為0.01-10M，HF濃度為0.1-10M，反應時間為 1-60min，然后將沉積有金屬顆粒的硅粉置于HF和氧化劑的混合溶液中進行刻蝕，其中氧化 劑為H₂O₂或HNO₃，其濃度為0.1-10M，HF濃度為0.1-40M，反應溫度為0-90℃，反應時間為1- 120min。

2.根據權利要求1所述的金屬修飾多孔硅粉的制備方法，其特征是步驟（1）中所述硅粉 原料為微米硅粉。

3.權利要求1所述的金屬修飾多孔硅粉的制備方法制備的金屬修飾多孔硅粉在制備負 極片中的應用，其特征是將上述制備的金屬修飾多孔硅粉、石墨、導電炭黑和羧甲基纖維素 鈉按質量比為0.5:8.5:0.5:0.5比例混合，通過球磨混合制成漿料，經過涂覆、烘干、壓片、 切片、稱量制成負極片。