[發明專利]一種多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器有效
| 申請號： | 201610028959.5 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105576384B | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 陸云清;成心怡;許敏;許吉;王瑾 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 高玲玲 |
| 地址： | 210023 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 通道 調諧 tamm 等離子體 完美 吸收 | ||
1.一種多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器，其特征在于包括：MIM波導和波導內的金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬結構，金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬結構兩側金屬厚度不同，以金屬插層為中心，其兩側DBR的周期數分別為N1和N2，兩個獨立的DBR周期數不相同，即N1≠N2；
所述金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬結構中薄金屬端為入射端，厚金屬端為出射端；所述金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬結構中薄金屬的厚度為20nm，厚金屬的厚度為70nm左右；
所述DBR由高折射率介質A和低折射率介質B構成，折射率分別為nA，nB，厚度分別為dA，dB，ω0為Bragg頻率，所述介質A為GaAs或TiO2，所述介質B為Al2O3或SiO2；
可以通過改變金屬插層的個數來調節通道數目。
2.根據權利要求1所述的多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器，其特征在于：所述金屬插層的個數n與通道數N的關系式為N＝2n+1，其中n≥0。
3.根據權利要求1所述的多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器，其特征在于：所述MIM波導和波導內的金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬結構的尺寸與入射光波長具有相同量級，但小于入射光波長。
4.根據權利要求3所述的多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器，其特征在于：所述MIM波導和金屬-DBR-金屬插層-DBR-金屬中的金屬采用Ag、Au或Al。
5.根據權利要求3所述的多通道可調諧Tamm等離子體完美吸收器，其特征在于：所述MIM波導的介質為空氣層，所述空氣層的厚度為50～160nm。
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