[發(fā)明專利]一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610028543.3 | 申請日: | 2016-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN105487589B | 公開(公告)日: | 2017-08-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 賈雪絨 | 申請(專利權)人: | 西安紫光國芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司61200 | 代理人: | 陸萬壽 |
| 地址: | 710075 陜西省西安*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 低溫 分布 集中 基準 電路 | ||
1.一種高低溫下分布集中的帶隙基準電路,其特征在于,包括帶隙基準電路、溫度檢測器和選通邏輯模塊;
所述帶隙基準電路用于輸出帶隙基準電壓vBGR;
所述溫度檢測器用于自動檢測帶隙基準電路所處環(huán)境的溫度,并在所測溫度值大于或等于閾值時輸出第一信號給選通邏輯模塊,在所測溫度值小于閾值時輸出第二信號給選通邏輯模塊;
所述選通邏輯模塊用于:在接收到第一信號時,將第一調(diào)整碼送至帶隙基準電路中的電阻R3,去調(diào)整電阻R3的值;去調(diào)整電阻R3的值,控制帶隙基準電壓vBGR接近目標值;在接收到第二信號時,將第二調(diào)整碼送至帶隙基準電路中的電阻R3,去調(diào)整電阻R3的值;去調(diào)整電阻R3的值,控制帶隙基準電壓vBGR接近目標值;
第一調(diào)整碼為90℃時的調(diào)整碼;第二調(diào)整碼為-10℃時的調(diào)整碼;
第一調(diào)整碼和第二調(diào)整碼的獲得方法如下:
在90℃下掃描調(diào)整碼,同時測量帶隙基準電路的輸出電壓,找到一組第一調(diào)整碼,使得帶隙基準電路輸出的帶隙基準電壓值最接近目標值;
在-10℃掃描所有的調(diào)整碼,同時測量帶隙基準電路輸出的帶隙基準電壓輸出,找到一組第二調(diào)整碼,使得帶隙基準電路輸出的帶隙基準電壓值最接近目標值;
所述帶隙基準電路包括運算放大器controls、二極管D1、二極管D2、二極管D3、電阻R2、電阻R3、PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3;
PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的漏極均接電源;PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的柵極共接且連接運算放大器controls的輸出端;PMOS管PMOS1的源極連接二極管D1的正極,二極管D1的負極接地;PMOS管PMOS2的源極串接電阻R2后連接二極管D2的正極,二極管D2的負極接地;PMOS管PMOS3的源極串接電阻R3后連接二極管D3的正極,二極管D3的負極接地;
運算放大器controls的正向輸入端連接PMOS管PMOS1的源極,運算放大器controls的反向輸入端連接PMOS管PMOS2的源極;PMOS管PMOS3的源極輸出帶隙基準電壓vBGR;
選通邏輯模塊在接收到第一信號時,將第一調(diào)整碼送至帶隙基準電路的電阻R3;在接收到第二信號時,將第二調(diào)整碼送至帶隙基準電路的電阻R3;
所述閾值為50℃;
第一調(diào)整碼和第二調(diào)整碼均通過激光熔絲輸出給帶隙基準電路。
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