[發(fā)明專利]MOS器件及工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610025265.6 | 申請日： | 2016-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN105679829A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 袁苑;陳瑜 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 器件 工藝 方法 | ||
1.一種MOS器件，包含襯底及覆蓋在襯底之上的多晶硅柵極，襯底中具有場氧，場 氧之間具有輕摻雜源漏區(qū)，以及MOS器件的源區(qū)及漏區(qū)，源區(qū)及漏區(qū)之間為溝道區(qū)，多 晶硅柵極和柵氧化層覆蓋在溝道區(qū)之上，接觸孔分別與源區(qū)及漏區(qū)接觸將其引出；其特 征在于：所述多晶硅柵極兩側(cè)具有雙層側(cè)墻，多晶硅柵極上方覆蓋金屬硅化物，源漏區(qū) 域上不形成金屬硅化物，所述的雙側(cè)側(cè)墻高度高于金屬硅化物。
2.如權(quán)利要求1所述的MOS器件，其特征在于：所述的雙層側(cè)墻材質(zhì)為氮化硅。
3.制造如權(quán)利要求1所述的MOS器件的工藝方法，其特征在于：包含如下的步驟：
步驟一，在硅襯底上形成場氧，再依次淀積一層氧化硅、多晶硅及第一層氮化硅；
步驟二，利用氮化硅做硬掩膜定義圖形，刻蝕多晶硅形成多晶硅柵極，再進行輕摻 雜源漏的注入；
步驟三，在整個器件表面淀積第二層氮化硅；
步驟四，對第二層氮化硅進行刻蝕形成側(cè)墻；
步驟五，離子注入形成源區(qū)及漏區(qū)；
步驟六，在整個器件表面淀積第三層氮化硅；
步驟七，去除多晶硅柵極之上的氮化硅；
步驟八，在多晶硅柵極上形成金屬硅化物；
步驟九，形成接觸孔，將有源區(qū)和柵極引出。
4.如權(quán)利要求3所述的MOS器件的工藝方法，其特征在于：所述步驟一中，采用化 學(xué)氣相淀積形成多晶硅層。
5.如權(quán)利要求3所述的MOS器件的工藝方法，其特征在于：所述步驟三中，采用化 學(xué)氣相淀積形成第二層氮化硅。
6.如權(quán)利要求3所述的MOS器件的工藝方法，其特征在于：所述步驟七中，利用等 離子體刻蝕去除多晶硅柵極上方的氮化硅，其他區(qū)域的氮化硅保留。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
