[發明專利]一種半導體器件及其制備方法、電子裝置

在審

• 申請號: 201610024132.7
• 申請日: 2016-01-14
• 公開（公告）號: CN106971974A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 周靜;胡平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/321;H01L23/48
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種半導體器件的制備方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有介電層，所述介電層中形成有接觸孔；

形成填充所述接觸孔的導電材料；

執行氧化步驟，以氧化在形成所述導電材料的過程中所述介電層表面殘留的導電材料顆粒和/或副產物，形成容易去除的氧化物，其中，所述氧化步驟選用氧化劑和催化劑對所述介電層表面殘留的導電材料顆粒和/或副產物進行氧化，同時添加抑制劑，以防止所述接觸孔開口中的所述導電材料的氧化；

對形成的所述容易去除的氧化物進行平坦化并清洗，以去除所述容易去除的氧化物。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成填充所述接觸孔的導電材料的同時在所述介電層的表面上也形成有所述導電材料，并對所述導電材料進行平坦化，以去除所述介電層的表面上的所述導電材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述介電層和所述導電材料之間還形成有粘結膠層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述導電材料平坦化之后，所述方法還進一步包括對所述粘結膠層進行平坦化的步驟。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：

對所述介電層進行平坦化，以得到平滑的表面。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層為高深寬比工藝氧化物，所述導電材料選用金屬鎢。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述氧化物進行低壓平坦化和高壓清洗，以去除所述氧化物。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，選用去離子水進行所述清洗。

9.一種基于權利要求1至8之一所述的方法制備得到的半導體器件。

10.一種電子裝置，包括權利要求9所述的半導體器件。