[發(fā)明專利]集成電感及應(yīng)用所述集成電感的功率變換器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610023991.4
• 申請(qǐng)日: 2016-01-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106971815B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉飛;石磊;傅電波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01F17/04
• 分類號(hào): H01F17/04;H01F27/24;H01F27/30;H02M7/48
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種集成電感，其特征在于，所述集成電感包括磁芯和N個(gè)繞組，所述磁芯包括第一磁柱、N個(gè)第二磁柱以及設(shè)置于所述第二磁柱兩端的第一磁軛和第二磁軛；其中，N為大于或等于2的整數(shù)；

所述第一磁柱與所述N個(gè)第二磁柱分別平行間隔設(shè)置，所述第一磁柱與所述第二磁柱的間距相等；

所述第二磁柱的一端通過(guò)所述第一磁軛與所述第一磁柱的一端連接，所述第二磁柱的另一端通過(guò)所述第二磁軛與所述第一磁柱的另一端連接；

所述N個(gè)繞組一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置于所述N個(gè)第二磁柱上；

其中，所述第一磁軛嵌入所述第一磁柱的一端，并與所述第一磁柱之間形成第一接觸面；所述第二磁軛嵌入所述第一磁柱的另一端，并與所述第一磁柱之間形成第二接觸面；其中，通過(guò)所述第一接觸面的磁通密度與通過(guò)所述第二接觸面的磁通密度相同。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁軛的中軸線垂直于所述第一磁柱，所述第一接觸面的面積大于所述第一磁軛垂直于所述中軸線的橫截面面積；所述第二磁軛的中軸線垂直于所述第一磁柱，所述第二接觸面的面積大于所述第二磁軛垂直于所述中軸線的橫截面面積。

3.如權(quán)利要求1所述的集成電感，其特征在于，所述第一接觸面和所述第二接觸面相對(duì)于所述第一磁柱的中心對(duì)稱。

4.如權(quán)利要求2所述的集成電感，其特征在于，所述第一接觸面和所述第二接觸面相對(duì)于所述第一磁柱的中心對(duì)稱。

5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的集成電感，其特征在于，所述第一接觸面和所述第二接觸面均為L(zhǎng)形曲面。

6.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的集成電感，其特征在于，所述第一接觸面和所述第二接觸面均為弧形曲面。

7.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱的一端將任意兩個(gè)所述第一磁軛相互隔離，所述第一磁柱的另一端將任意兩個(gè)所述第二磁軛相互隔離。

8.如權(quán)利要求5所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱的一端將任意兩個(gè)所述第一磁軛相互隔離，所述第一磁柱的另一端將任意兩個(gè)所述第二磁軛相互隔離。

9.如權(quán)利要求6所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱的一端將任意兩個(gè)所述第一磁軛相互隔離，所述第一磁柱的另一端將任意兩個(gè)所述第二磁軛相互隔離。

10.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱由無(wú)內(nèi)部氣隙的磁性材料制成，所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛由有內(nèi)部氣隙的磁性材料制成；所述第一磁柱的磁導(dǎo)率大于所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛的磁導(dǎo)率。

11.如權(quán)利要求5所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱由無(wú)內(nèi)部氣隙的磁性材料制成，所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛由有內(nèi)部氣隙的磁性材料制成；所述第一磁柱的磁導(dǎo)率大于所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛的磁導(dǎo)率。

12.如權(quán)利要求6所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱由無(wú)內(nèi)部氣隙的磁性材料制成，所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛由有內(nèi)部氣隙的磁性材料制成；所述第一磁柱的磁導(dǎo)率大于所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛的磁導(dǎo)率。

13.如權(quán)利要求7所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱由無(wú)內(nèi)部氣隙的磁性材料制成，所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛由有內(nèi)部氣隙的磁性材料制成；所述第一磁柱的磁導(dǎo)率大于所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛的磁導(dǎo)率。

14.如權(quán)利要求8所述的集成電感，其特征在于，所述第一磁柱由無(wú)內(nèi)部氣隙的磁性材料制成，所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛由有內(nèi)部氣隙的磁性材料制成；所述第一磁柱的磁導(dǎo)率大于所述第二磁柱、第一磁軛和第二磁軛的磁導(dǎo)率。