[發(fā)明專利]用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610022428.5
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN105489615B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張合靜
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括：

一基板；

數(shù)個(gè)薄膜晶體管像素單元，設(shè)置在所述基板上，每一薄膜晶體管像素單元包括至少一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管及至少一開關(guān)薄膜晶體管；

一第一電極圖案層，設(shè)置在所述基板上；

一絕緣層，設(shè)置于所述基板上，并覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管及開關(guān)薄膜晶體管的柵極及所述第一電極圖案層；以及

一第二電極圖案層，設(shè)置在所述絕緣層上，并與所述第一電極圖案層部分重疊，其中所述絕緣層經(jīng)過圖案化及局部薄化處理；其中所述第一電極圖案層構(gòu)成一儲(chǔ)存電容的下電極、數(shù)個(gè)掃描線、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極；所述第二電極圖案層構(gòu)成所述儲(chǔ)存電容的上電極、數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)線、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和漏極、所述開關(guān)薄膜晶體管的源極和漏極；其中所述絕緣層在掃描線與數(shù)據(jù)線的垂直跨線處具有較大的厚度；所述絕緣層在對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極位置具有較大的厚度，在對(duì)應(yīng)所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極位置具有較小的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述絕緣層在掃描線與數(shù)據(jù)線的垂直跨線處的厚度大致等于所述絕緣層在對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極位置的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述儲(chǔ)存電容的下電極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極；所述儲(chǔ)存電容的上電極連接所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極。

4.如權(quán)利要求1所述的用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述絕緣層包括氧化硅層、氮化硅層之一或其組合。

5.一種用于AMOLED的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板；

步驟2、在所述基板上形成一第一電極圖案層、數(shù)個(gè)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極及數(shù)個(gè)開關(guān)薄膜晶體管的柵極；

步驟3、在所述基板上形成一絕緣層，以覆蓋所述第一電極圖案層、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極；

步驟4、對(duì)所述絕緣層進(jìn)行圖案化及局部薄化處理，使得所述絕緣層被圖案化并具有不同的厚度；

步驟5、在所述絕緣層上對(duì)應(yīng)所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極的位置形成一半導(dǎo)體層；以及

步驟6、在所述絕緣層上形成一第二電極圖案層、所述開關(guān)薄膜晶體管的源極和漏極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和漏極，其中所述第二電極圖案層與所述第一電極圖案層部分重疊，其中所述第一電極圖案層構(gòu)成一儲(chǔ)存電容的下電極、數(shù)個(gè)掃描線、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極和所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極；所述第二電極圖案層構(gòu)成所述儲(chǔ)存電容的上電極、數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)線、所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的源極和漏極、所述開關(guān)薄膜晶體管的源極和漏極；其中所述絕緣層在掃描線與數(shù)據(jù)線的垂直跨線處具有較大的厚度；所述絕緣層在對(duì)應(yīng)所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極位置具有較大的厚度，在對(duì)應(yīng)所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極位置具有較小的厚度。