[發明專利]一種薄膜開關及其制備方法

有效

• 申請號: 201610022399.2
• 申請日: 2016-01-12
• 公開（公告）號: CN105609352B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 李立
• 申請（專利權）人: 珠海創飛芯科技有限公司
• 主分類號: H01H13/702
• 分類號: H01H13/702;H01H13/704;H01H13/88;H01H11/00
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所11399
• 代理人: 朱健,陳國軍

1.一種薄膜開關，其特征在于：所述薄膜開關利用以反熔絲為基礎的電容器作為關斷開關,所述薄膜開關包括面板、上電路、隔離層和下電路，所述上電路為導體層，所述隔離層為絕緣體層，所述下電路為導體層，所述導體層和絕緣體層通過薄膜形成工藝在支持基質上形成，

上電路導體層/絕緣體層/下電路導體層為TaN/HfO₂/CoSi₂，其重量比例為0.3～0.7:2.0～2.5:1.6～1.9；

所述絕緣體層包括按照重量份數計的如下原料：PET樹脂120～130份、芳綸纖維15～25份、電氣石粉6～8份、聚乙烯醇縮丁醛5～7份、DOPO-BQ 10～13份、十八烷基二甲基羥乙基季銨硝酸鹽5～6份、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷0.1～0.2份、成核劑3988 9～10份、熱穩定劑5～6份、抗氧劑8～9份；

所述的熱穩定劑為鋇鋅穩定劑；

所述的抗氧劑為抗氧劑264。

2.根據權利要求1所述的薄膜開關，其特征在于：所述薄膜形成工藝包括以下一種或幾種：真空沉積、印刷、噴霧、旋涂、電鍍工藝。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜開關，所述導體層和絕緣體層的堆疊厚度小于10mm。

4.根據權利要求3所述的薄膜開關，其特征在于，導通后所述絕緣體層的電阻小于500Ω。

5.一種復合薄膜開關，其特征在于：由多個權利要求1-4中任一項所述的薄膜開關整合在一個封裝里。

6.根據權利要求5所述的復合薄膜開關，其特征在于：所述復合薄膜開關還包括帶有智能控制邏輯的智能開關。

7.一種制備根據權利要求1-4中任一項所述的薄膜開關的方法，其特征在于：通過真空沉積、印刷、噴霧或旋壓工藝，在支持基質上形成導體層和絕緣體層。