[發明專利]一種半導體器件及其制造方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201610021334.6
• 申請日: 2016-01-13
• 公開（公告）號: CN106971973B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 胡敏達;周俊卿;何其旸;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上依次形成蝕刻停止層、低k介電層和硬掩膜層；

在所述低k介電層中形成用于填充銅金屬互連層的溝槽和通孔；

對所述溝槽和通孔實施預處理過程，以修復所述溝槽和通孔的形貌，并圓化所述溝槽和通孔的頂端拐角部分；

執行蝕刻后處理過程，以去除蝕刻殘留物和雜質；其中，所述預處理過程包括：通過等離子體轟擊電極濺射出的硅附著在所述溝槽和通孔的側壁及底部以形成旋涂硅層，以修復所述溝槽和通孔的形貌。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預處理過程還包括：使用CF₄轟擊所述硬掩膜層，圓化所述溝槽和通孔的頂端拐角部分，以利于后續銅金屬互連層的填充。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述低k介電層和所述硬掩膜層之間形成有緩沖層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用濕法清洗工藝實施所述蝕刻后處理過程。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，執行所述蝕刻后處理過程之后，還包括在所述溝槽和通孔中填充銅金屬互連層的步驟。

6.一種采用權利要求1-5之一所述的方法制造的半導體器件。

7.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求6所述的半導體器件。