[發明專利]碳化硅器件中的Trench MOSFET的柵氧化加工方法在審
| 申請號： | 201610018524.2 | 申請日： | 2016-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN105513962A | 公開（公告）日： | 2016-04-20 |
| 發明（設計）人： | 廖奇泊;胡建國;周雯 | 申請（專利權）人： | 上海晶亮電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324;H01L21/336;H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200233 上海市徐*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 器件 中的 trench mosfet 氧化 加工 方法 | ||
1.一種碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法，其特征在于，包 括：
步驟1：在N型低摻雜外延碳化硅的表面進行退火處理；
步驟2：在N型低摻雜外延碳化硅的表面植入含硅CVD膜；
步驟3：對含硅CVD膜進行熱處理，完成氧化過程。
2.如權利要求1所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，在進行步驟1之前，進行如下步驟的處理：
定義SiC外延晶圓底材TrenchMOSFET的制程，并加工止于待“柵氧化”的 步驟。
3.如權利要求1所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，步驟3中對含硅CVD膜進行熱處理后，還包括在所述含硅CVD膜并 進行過熱處理的表面植入多晶硅的步驟。
4.如權利要求1所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，
步驟1具體包括如下操作：將待柵氧化的碳化硅器件在850～1200℃的氧氣氛中 氧化30～60min后，再在850～1000℃的氫氣氛或氫氣-氮氣混合氣氛中退火 30～60min。
5.如權利要求1所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，
步驟2具體包括如下操作：
將經過步驟1處理的碳化硅器件在0.5～1乇的真空度下，于500～900℃的硅烷 氣氛中處理30～50min。
6.如權利要求4所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，所述硅烷的體積分數為10～30％。
7.如權利要求1所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，
步驟3具體包括如下操作：
將經過步驟2處理的碳化硅器件在900～1200℃的氫氣-氧氣混合氣氛中熱處理 120～180min。
8.如權利要求2所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，
將碳化硅外延基片進行制程；
等待柵氧化。
9.如權利要求2所述的碳化硅器件中的TrenchMOSFET的柵氧化加工方法， 其特征在于，
在所述含硅CVD膜并進行過熱處理的表面植入多晶硅的方法為低壓力化學氣 相沉積法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
